سیلیسیم کاربید

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو
سیلیسیم کاربید
Sample of silicon carbide as a boule
شناساگرها
شماره ثبت سی‌ای‌اس 409-21-2 YesY
پاب‌کم 9863
کم‌اسپایدر 9479 YesY
شمارهٔ ئی‌سی 206-991-8
MeSH Silicon+carbide
ChEBI CHEBI:29390 YesY
شمارهٔ آرتی‌ئی‌سی‌اس VW0450000
13642
جی‌مول-تصاویر سه بعدی Image 1
خصوصیات
فرمول مولکولی CSi
جرم مولی ۴۰٫۱ g mol−1
شکل ظاهری Colorless crystals
چگالی 3.21 g·cm−3 (all پلی‌مورفیسم)[۱]
دمای ذوب ۲٬۷۳۰ درجه سلسیوس (۴٬۹۵۰ درجه فارنهایت; ۳٬۰۰۰ کلوین) decomposes
تحرک‌پذیری ~900 cm2/V·s (all polytypes)
ضریب شکست (nD) 2.55 (infrared; all polytypes)[۲]
خطرات
طبقه‌بندی ئی‌یو Not listed
لوزی آتش
Flammability code 0: Will not burn. E.g., water Health code 1: Exposure would cause irritation but only minor residual injury. E.g., turpentine Reactivity code 0: Normally stable, even under fire exposure conditions, and is not reactive with water. E.g., liquid nitrogen Special hazards (white): no codeNFPA 704 four-colored diamond
به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شده‌اند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa)
 YesY (بررسی) (چیست: YesY/N؟)
Infobox references

کاربید سیلیسیوم با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز است که به‌صورت خام در طبیعت یافت نمی‌شود. این ماده به‌صورت مصنوعی ساخته (اصطلاحاً سنتز) می‌شود. کاربرد آن در ساخت محصولات دیرگداز و ساینده ها است. این محصولات عمدتاً در کوره بلند، دستگاه‌های اسیدشویی، کوره قائم مس کاتدی، انواع نازل‌ها و کوره‌های ذوب فلزات مورد استفاده قرار می‌گیرد.[۳]

سنتز[ویرایش]

سنتز کاربید سیلیسیم با استفاده از روش موسوم به فرایند اچسون [۴] صورت می‌گیرد. مواد اولیه این فرایند عبارتند از ماسه سیلیسی و کک. این فرایند در دمای ۲۳۰۰ درجه سانتی‌گراد و با استفاده از جریان الکتریسیته اتفاق می‌افتد. تولید هر کیلوگرم کاربید سیلیسیم، به ۱۵ کیلووات ساعت انرژی الکتریکی نیاز دارد.[۵]

ویژگی‌ها[ویرایش]

کاربید سیلیسیوم دارای ساختار کریستالی هگزاگونال یا مکعبی است. چگالی این ماده برابر ۲۱/۳ گرم بر سانتی‌متر مکعب است و دارای مقاومت شیمیایی بالا و مقاومت الکتریکی پایینی است. سختی این ماده در مقیاس موهز (یا موس)، بین کوراندوم و الماس است.[۶] سیلیسیم کاربید می‌تواند بدون بروز دادن تغییرات شیمیایی و فیزیکی قابل توجه، تا دمای ۱۰۰۰ درجه سلسیوس را نیز تحمل کند.[۷]

پانویس[ویرایش]

  1. Patnaik, P. (2002). Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. ISBN 0070494398. 
  2. "Properties of Silicon Carbide (SiC)". Ioffe Institute. Retrieved 2009-06-06. 
  3. روتشکا، ۱۳۷۸، صص ۶۳ و ۶۵
  4. Acheson
  5. روتشکا، ۱۳۷۸، ص ۶۳
  6. روتشکا، ۱۳۷۸، ص ۶۳
  7. دانشمند، ایفونتس، ص ۶۴

منابع[ویرایش]

  • روتشکا، جرالد. «فصل چهارم». در مواد دیرگداز. ترجمهٔ بهزاد میرهادی. چاپ دوم. انتشارات دانشگاه علم و صنعت ایران، ۱۳۷۸. شابک ‎۹۶۴۴۵۴۰۷۹۴. 
  • «تولدی دوباره برای کربید سیلیسیم». دانشمند, مرداد 1373 هجری شمسی, ص 64. ISSN 1011-3495.