مقاومت مغناطیسی بزرگ

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو

مقاومت مغناطیسی بزرگ یا GMR، تغییر ناگهانی در مقاومت الکتریکی است که هنگامی اتفاق می‌افتد که ماده‌ای شامل لایه‌های فلزی متناوب فرو مغناطیسی و پارامغناطیسی، در معرض یک میدان مغناطیسی بزرگ قرار بگیرد، بخصوص اگر مغناطیدگی در لایه‌های مجاور موازی باشد، مقاومت بسیار کمتر خواهد شد و اگر ناموازی باشد مقاومت بسیار بالاتر خواهد رفت. این تغییر مقاومت به خاطر الکترون‌های اسپین بالا و پایین است که در لایه‌های منفرد پراکنده شده‌اند.[۱]

منابع[ویرایش]