مقاومت مغناطیسی بزرگ

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو

مقاومت مغناطیسی بزرگ یا GMR، تغییر ناگهانی در مقاومت الکتریکی است که هنگامی اتفاق می‎افتد که ماده‎ای شامل لایه‎های فلزی متناوب فرو مغناطیسی و پارامغناطیسی، در معرض یک میدان مغناطیسی بزرگ قرار بگیرد، بخصوص اگر مغناطیدگی در لایه‎های مجاور موازی باشد، مقاومت بسیار کمتر خواهد شد و اگر ناموازی باشد مقاومت بسیار بالاتر خواهد رفت. این تغییر مقاومت به خاطر الکترون‎های اسپین بالا و پایین است که در لایه‎های منفرد پراکنده شده‎اند.[۱]

منابع[ویرایش]