ترانزیستور تک‌پیوندی

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
(تغییرمسیر از ترانزیستور تک پیوندی)
ترانزیستور تک پیوندی (UJT)
Unijunction transistors.jpg
ترانزیستور ujt
نمادهای الکترونیک
UJT N symbol (case).svg UJT P symbol (case).svg

ترانزیستور تک پیوندی یا تک اتصالی (به انگلیسی: unijunction transistor (UJT))یک المان نیمه هادی سه سر است که فقط یک پیوند p-n در آن وجود دارد و مانند یک کلید الکترونیکی عمل می‌کند.

انواع

نمودار UJT که منحنی مشخصات آن را نشان می‌دهد. ولتاژ امیتر-بیس۱ تابع جریان امیتر که نمایانگر مقاومت منفی قابل کنترل است
  • سه نوع ترانزیستور تک پیوندی وجود دارد:
  1. ترانزیستور تک پیوندی در اصل یک المان ساده است که از تکه‌ای نیمه هادی نوع n که در طول آن یک ماده نیمه هادی نوع p نفوذ داده شده‌است، تشکیل می‌شود. المان 2N2646 مشهورترین قطعه این نوع است.
  2. ترانزیستور تک پیوندی مکمل CUJT برعکس حالت بالا از یک ماده نیمه هادی نوع p که در طول آن یک‌نیمه هادی نوع n نفوذ داده شده‌است، تشکیل یافته. المان 2N6114 مشهورترین قطعه این نوع است.
  3. ترانزیستور تک پیوندی قابل برنامه‌ریز (PUT) یک المان دارای چند پیوند p-n است. این قطعه بسیار مشابه تریستور است و از چهار لایه p و n تشکیل یافته‌است. این قطعه دارای سه سر است که آند و کاتد به لایه‌های اول و آخر اتصال دارند و پایه گیت به یکی از لایه‌های میانی (لایه نزدیک به آند) متصل است. PUT نمی‌تواند به‌طور مستقیم جایگزین UJT شود اما می‌تواند عملکرد مشابهی را داشته باشد. المان‌های 2N6027 و 2N6028[۱] نمونه‌هایی از PUT هستند.

ساختمان UJT

ساختار UJT

UJT دارای سه‌پایه است: یک امیتر (E) و دو عدد بیس (B1 and B2). بیس متشکل از یک‌نیمه هادی نوع n با ناخالصی کم است که دو اتصال اهمی پایه‌های B1 و B2 را به دو سر آن وصل می‌کند. پایه امیتر به یک ناحیه نیمه هادی p با ناخالصی بالا متصل است که یک پیوند PN در داخل ساختار تشکیل می‌شود که علت نامگذاری قطعه همین است.

اگر هیچ اختلاف پتانسیل مابین امیتر و هر کدام از دوپایه بیس نباشد جریان بسیار کوچکی از B1 به سمت B2 جاری می‌شود. اگر یک اختلاف پتانسیل بزرگ (ولتاژ تحریک) مابین پایه امیتر و پایه‌های بیس قرار گیرد یک جریان شدید از سوی امیتر جاری شده و با جریان قبلی جمع شده و باعث می‌شود جریان نسبتاً بزرگی از B2 خارج شود.

عملکرد قطعه

هنگامی که این قطعه تحریک می‌شود، جریان امیتر آن به صورت بازتولیدی افزایش پیدا می‌کند و سپس توسط منبع تغذیه امیتر محدود می‌شود که یک رفتار مقاومت منفی از خود نشان می‌دهد و به همین علت می‌تواند در مدارهای اسیلاتور مورد استفاده قرار گیرد.

اختراع

ترانزیستور UJT به عنوان یک محصول جانبی به هنگام تحقیق بر روی لامپ چهار قطبی (tetrode) در کارخانه جنرال الکتریک اختراع و در سال ۱۹۵۳ ثبت شد.

منابع

  1. 2N6027های 2N6028 ورق داده‌ها در نیمه هادی در farnell.com