نوارهای رسانش و ظرفیت

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
(تغییرمسیر از نوار ظرفیت)
پرش به: ناوبری، جستجو
نمایش باند انرژی در جامدها

ظرفیت و باند انتقال (به انگلیسی: Valence and conduction bands)، در فیزیک حالت جامد، نوار ظرفیت و نوار رسانش باندهایی نزدیک به تراز فرمی هستند و در نتیجه تعیین کنندهٔ میزان هدایت الکتریکی در جامدها هستند. نوار ظرفیت بالاترین گستره از انرژی الکترون است که در آنجا الکترون‌ها به طور معمول در دمای صفر مطلق وجود دارند.در نیمه‌رساناها و نارساناها نواری با انرژی بالاتر وجود دارد که به آن نوار رسانش می‌گویند و توسط نوار ممنوعه از نوار ظرفیت جدا می‌شود. در شبه‌فلزات نوار ممنوعه وجود ندارد. در واقع فاصله‌ای بین نوار ظرفیت و نوار رسانش موجود نیست. باند هدایت کمترین گستره از حالت‌های خالی الکترونی است. در نمودار نظریهٔ نوارهای یک ماده، نوار ظرفیت در زیر سطح فرمی قرار گرفته است، در حالی که باند هدایت در بالای آن واقع شده است. این تمایز در فلزها البته بی‌معنی است زیرا که بالاترین باند در مورد فلزها همیشه تا اندازه‌ای پر است، در نتیجه جانشین ویژگی‌های هر دوی نوار ظرفیت و باند انتقال است.

رابطهٔ رسانایی، نارسانایی و نیمه‌رسانایی با ضخامت نوار ممنوعه

علت کم بودن هدایت الکتریکی در نارساناها و نیمه‌رساناها به خصوصیات باند رسانش آنها برمی‌گردد. در این مواد باند رسانش به طور کامل پر شده است و هیچ فضای خالی (یا سطح انرژی اشغال نشده) وجود ندارد. در نتیجه هنگام اعمال میدان الکتریکی، الکترونها نمی‌توانند شتاب گرفته و با افزایش انرژی خود شروع به حرکت کنند.

در نیمه‌رساناها گاه هدایت‌الکتریکی دیده می‌شود. علت این است که تعدادی از الکترون‌های نوار ظرفیت آن قدر انرژی بدست می‌آورند (مثلاً انرژی حرارتی) که می‌توانند از نوار ممنوعه عبور کرده و به نوار رسانش بروند. در این حالت هم الکترون‌هایی که در نوار رسانش هستند و هم حفره‌هایی که در نوار ظرفیت ایجاد شده‌اند می‌توانند باعث هدایت الکتریکی شوند. در فلزات باند ظرفیت کاملاً پر نشده و الکترون‌ها می‌توانند به راحتی حرکت کنند. در واقع نوار رسانش یا باند هدایت نواری است که از نوار ظرفیت، الکترون می‌پذیرد.[۱] حامل‌های بار منفی الکترون‌هایی هستند که انرژی کافی برای فرار از نوار ظرفیت و پرش به نوار رسانش را داشته‌اند. آنها آزادانه در سراسر شبکهٔ کریستالی حرکت می‌کنند و به طور مستقیم در رسانا سازی نیمه‌هادی نقش دارند. حامل‌های بار مثبت حفره‌ها هستند. حضور یک حفره اشاره به این واقعیت است که در باند جایی برای یک الکترون (یعنی منفی حامل بار) وجود دارد در حالی که الکترون ثابت در آن مکان خاص وجود ندارد. از آنجا که الکترون پتانسیل آن را دارد که وجود داشته باشد و در عین حال وجود ندارد، از حفره به عنوان حامل مثبت شارژ هم یاد شده‌است.

جستارهای وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]

  1. . http://www.chembio.uoguelph.ca/educmat/chm729/band/cod.htm (بازیابی در ۲۹ نوامبر ۲۰۱۵)