انباشت بخار شیمیایی

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
جریان مستقیم پلاسما (بنفش) باعث بهبود رشد نانوتیوب‌های کربن در دستگاه سایز لابراتوار PECVD می‌شود.

انباشت بخار شیمیایی (به انگلیسی: Chemical vapor deposition به اختصار CVD) یکی از روش‌های انباشت در خلاء برای تولید مواد با کیفیت، با کارایی بالا و جامد می‌باشد. از این روش معمولاً در صنایع نیمه رسانا برای تولید لایه‌های نازک استفاده می‌شود.

غالباً انباشت روی زیر لایه‌ای از ماده مشابه (مانند سیلیکون روی سیلیکون) انجام می‌شود. این انباشت ممکن است از طریق چند نوع واکنش شیمیایی انجام شود: گرماکافت که در آن از دمای زیاد برای تجزیه ماده استفاده می‌شود. نورکافت که در آن از نور فرابنفش یا فروسرخ برای تجزیه ترکیب‌های گازی استفاده می‌شود.

در فرایندهای میکروساخت از CVD برای انباشت مواد در شکل‌های مختلف، شامل: تک کریستالی، پلی کریستالی، آمورف و اِپیتکسی به صورت گسترده‌ای استفاده می‌شود. این مواد می‌تواند شامل: سیلیسیم (سیلیسیم دی‌اکسید، سیلیسیوم کاربید، سیلیسیم نیترید، سیلیسیم اوکسی نیترید)، کربن (فیبر کربن، نانوفیبر کربن، نانوتیوب کربن، الماس و گرافینفلوئوروکربن‌ها، تنگستن، تیتانیوم نیترید و دی الکتریک کاپا-بالا باشد.

منابع[ویرایش]

سوالونی، هادی. مبانی علم سطح در نانوفناوری ج۱. تهران: دانشگاه تهران، ۱۳۸۳، شابک ‎۹۶۴-۰۳-۴۸۹۲-۹