حفره الکترونی: تفاوت میان نسخهها
ظاهر
محتوای حذفشده محتوای افزودهشده
Fatranslator (بحث | مشارکتها) جز ربات ردهٔ همسنگ (۲۶) +مرتب+تمیز (۹.۷): + رده:شبه ذرات |
جز ربات: جایگزینی پیوند جادویی شابک با الگو شابک |
||
خط ۶: | خط ۶: | ||
{{پانویس}} |
{{پانویس}} |
||
{{چپچین}} |
{{چپچین}} |
||
* Angus Rockett, ''The Materials Science of Semiconductors'', Springer Science+Business Media, LLC, 2008. ISBN |
* Angus Rockett, ''The Materials Science of Semiconductors'', Springer Science+Business Media, LLC, 2008. {{ISBN|978-0-387-25653-5|en}} |
||
{{پایان چپچین}} |
{{پایان چپچین}} |
||
{{ذرات بنیادی}} |
{{ذرات بنیادی}} |
نسخهٔ ۱۸ سپتامبر ۲۰۱۷، ساعت ۰۰:۳۱
حفره الکترونی (به انگلیسی: Electron hole) یک مفهوم است که از لحاظ ریاضی معکوس الکترون است. این مفهوم عدم وجود الکترون در لایهٔ ظرفیت را نشان میدهد که متفاوت از پوزیترون (متمم ضد مادهٔ الکترون) است.
در نیمهرساناهای ذاتی الکترونهای نوار ظرفیت میتوانند با جذب انرژی، به نوار رسانش رفته و در نوار ظرفیت حفره ایجاد کنند. حفرهها نیز با حرکت در جهت جریان الکتریکی باعث رسانایی الکتریکی در مواد میشوند.
منابع
- Angus Rockett, The Materials Science of Semiconductors, Springer Science+Business Media, LLC, 2008. ISBN 978-0-387-25653-5