نیترید گالیم

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو
نیترید گالیم
شناساگرها
CAS 25617-97-4 YesY
پاب‌کم 117559
کم‌اسپایدر 105057 YesY
شماره RTECS
LW9640000
Jmol-3D images Image 1
خصوصیات
فرمول شیمیایی
GaN
جرم مولی
‎ 83.73 g/mol
شکل ظاهری yellow powder
چگالی 6.15 g/cm3
دمای ذوب
‎>2500 °C[۲]
محلول در آب Reacts.
نوار ممنوعه 3.4 eV (300 K, direct)
تحرک‌پذیری 440 cm2/(V·s) (300 K)
هدایت گرمایی 2.3 W/(cm·K) (300 K) [۱]
ضریب شکست (nD) 2.429
ساختار
ساختار بلوری ساختار ورتزیت
گروه فضایی C6v4-P63mc
Lattice constant a = 3.186 Å, c = 5.186 Å [۳]
شکل هندسی Tetrahedral
خطرات
EU Index Not listed
دمای اشتعال Non-flammable.
ترکیبات مرتبط
آنیون‌های دیگر گالیم فسفین
گالیم آرسنید
گالیم آنتیمونید
کاتیون‌های دیگر نیترید بور
آلومینیم نیترید
نیترید ایندیم
ترکیبات مرتبط Aluminium gallium arsenide
Indium gallium arsenide
Gallium arsenide phosphide
Aluminium gallium nitride
Indium gallium nitride
 YesY (verify) (what is: YesY/N?)
تمامی داده‌ها مربوط به شرایط استاندارد(در  °C۲۵ و  kPa۱۰۰) است، مگر آنکه خلاف آن ذکر شده باشد.
Infobox references

نیترید گالیم (به انگلیسی: Gallium nitride) با فرمول شیمیایی GaN یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۱۷۵۵۹ است. که جرم مولی آن 83.73 g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر زرد است.

جستارهای وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]

  1. Mion, Christian. "Investigation of the Thermal Properties of Gallium Nitride Using the Three Omega Technique." Diss. North Carolina State University. Raleigh, 2005. Web, Aug 12, 2011. http://repository.lib.ncsu.edu/ir/bitstream/1840.16/5418/1/etd.pdf.
  2. T. Harafuji and J. Kawamura (2004). "Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal". Appl. Phys. 96 (5): 2501. DOI:10.1063/1.1772878. 
  3. Bougrov V., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001, 1–30