سولفید تنگستن (IV)

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
(تغییرمسیر از سولفید تنگستن(IV))
پرش به: ناوبری، جستجو
سولفید تنگستن (IV)
Molybdenite-3D-balls.png
شناساگرها
شماره ثبت سی‌ای‌اس 12138-09-9 YesY
پاب‌کم 82938
کم‌اسپایدر 74837 YesY
ChEBI CHEBI:30521 YesY
جی‌مول-تصاویر سه بعدی Image 1
خصوصیات
فرمول مولکولی WS2
جرم مولی 247.98 g/mol
شکل ظاهری blue-gray powder[۱]
چگالی 7.5 g/cm3 solid[۱]
دمای ذوب 1250 °C decomp.[۱]
ساختار
ساختار بلوری مولیبدنیت
Trigonal prismatic (WIV)
Pyramidal (S2−)
خطرات
شاخص ئی‌یو Not listed
ترکیبات مرتبط
دیگر آنیون‌ها اکسید تنگستن(IV)
دیگر کاتیون‌ها مولیبدن دی‌سولفید
به استثنای جایی که اشاره شده‌است در غیر این صورت، داده‌ها برای مواد به وضعیت استانداردشان داده شده‌اند (در 25 °C (۷۷ °F)، ۱۰۰ kPa)
 YesY (بررسی) (چیست: YesY/N؟)
Infobox references

سولفید تنگستن(IV) (به انگلیسی: Tungsten(IV) sulfide) با فرمول شیمیایی WS2 یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم 82938 است. که جرم مولی آن 247.98 g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر آبی-خاکستری است.توده‌ی 2WS یک نیمه‌رسانای با گاف نواری غیرمستقیم است؛ هنگامی‌که به تک‌لایه ‌نازک می‌شود،گاف نواری گسترده و مستقیم می‌شود. به عبارت دیگر دی‌کالکوژنید‌های فلز واسطه دارای گاف انرژی ذاتی هستند، و وقتی ضخامتشان به یک تک‌لایه تقلیل می‌یابد، یک گذار از گاف انرژی غیرمستقیم به مستقیم نشان می‌دهند. تک‌لایه‌ی تنگستن‌دی‌سولفید دارای یک گاف انرژی مستقیم با مقدار نظری تقریباً  eV1/2 است، درحالی‌که توده‌ی آن دارای یک گاف انرژی غیرمستقیم تقریباًeV  3/1 است.تنگستن‌دی‌سولفید یکی از موادّ دوبعدی شناخته شده است که جزو دی‌کالکوژنید‌های فلز واسطه به حساب می‌آید. دی‌کالکوژنید‌های فلز واسطه با فرمول کلّی 2MX هستند،که M یک فلز واسطه (در این‌جا تنگستن) و X یک کالکوژن (در این‌جا گوگرد) است،که از ترکیب واحدهای لایه‌های سه‌گانه‌ی X-M-X در یک ساختار شبکه‌ای شش گوشی به هم متّصل می‌شوند. تنگستن‌دی‌سولفید مادّه‌ای لایه‌لایه با ورقه‌های شامل یک لایه از اتم‌های تنگستن،که بین دو لایه از اتم‌های گوگرد که در مختصّات منشوری مثلّثی فشرده شده است، می‌باشد. ورقه‌ها هم‌دیگر را به وسیله‌ی نیروهای واندروالس،که به ورقه‌ها امکان سُرخوردن روی هم‌دیگر را می‌دهد، نگه می‌دارند.در واقع توده‌ی دی‌کالکوژنید‌های فلز واسطه نیمه‌رساناهایی با یک گاف نواری غیرمستقیم در نزدیکی محدوده‌ی طیف فروسرخ هستند، درحالی‌که تک‌لایه‌های دی‌کالکوژنید‌های فلز واسطه مانند مولیبدن‌دی‌سولفید، تنگستن‌دی‌سولفید یا تنگستن‌دی‌سلنید دارای یک گاف نواری مستقیم در محدوده‌ی طیف نور مرئی هستند. این در تضاد با گاف صفر گرافن و گاف بزرگ‌تر از eV 5 تک‌لایه‌ی بورن نیترید شش ضلعی است.

جستارهای وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]

  1. ۱٫۰ ۱٫۱ ۱٫۲ Mary Eagleson (1994). Concise encyclopedia chemistry. Walter de Gruyter. p. 1129. ISBN 978-3-11-011451-5. Retrieved 6 November 2011.