مغنامقاومت غولپیکر: تفاوت میان نسخه‌ها
از انگلیسی ترجمه کرده‌ام و منابع را اضافه کرده‌ام. برچسب‌ها: افزودن پیوند بیرونی به جای ویکی‌پیوند ویرایشگر دیداری |
|||
| خط ۱: | خط ۱: | ||
'''مقاومت مغناطیسی بزرگ''' یا GMR، یک اثر [[مقاومت مغناطیسی]] [[مکانیک کوانتومی]] است که متشکل از لایه های رسانای متناوب [[فرومغناطیس|فرومغناطیسی]] و غیرمغناطیسی است. جایزه نوبل سال ۲۰۰۷ فیزیک با این کشف به [[آلبر فر]] و [[پتر گرونبرگ]] رسید. |
|||
'''مقاومت مغناطیسی بزرگ''' یا GMR، تغییر ناگهانی در مقاومت الکتریکی است که هنگامی اتفاق می‌افتد که ماده‌ای شامل لایه‌های فلزی متناوب فرو مغناطیسی و پارامغناطیسی، در معرض یک میدان مغناطیسی بزرگ قرار بگیرد، بخصوص اگر مغناطیدگی در لایه‌های مجاور موازی باشد، مقاومت بسیار کمتر خواهد شد و اگر ناموازی باشد مقاومت بسیار بالاتر خواهد رفت. این تغییر مقاومت به خاطر الکترون‌های اسپین بالا و پایین است که در لایه‌های منفرد پراکنده شده‌اند.<ref>[http://physics.ipm.ac.ir/conferences/13thspring/notes/kanjouri.pdf تعریف در مقاله مؤسسه فیزیک نظری]</ref> |
|||
این اثر بسته به اینکه مغناطیس‌سازی لایه های فرومغناطیسی مجاور در یک مسیر موازی یا ضدموازی باشد، به شکل یک تغییر قابل توجه در [[مقاومت و رسانایی الکتریکی|مقاومت‌الکتریکی]] مشاهده می شود. مقاومت کلی برای مسیر موازی نسبتاً کم و برای مسیر ضد موازی نسبتاً زیاد است. جهت مغناطیس‌سازی می تواند کنترل شود، به عنوان مثال، با استفاده از یک [[میدان مغناطیسی]] خارجی این کار ممکن است. این اثر مبتنی بر وابستگی پراکندگی الکترون به جهت‌گیری چرخش است. |
|||
کاربرد اصلی سنسورهای میدان مغناطیسی برای خواندن داده‌ها در درایوهای دیسک، حسگرهای زیستی، [[سامانه میکرو الکترومکانیکی|سامانه‌های میکروالکترومکانیکی]] و دیگر دستگاه‌ها است.<ref>{{Cite journal|last=Reig|first=Candid|last2=Cardoso|first2=Susana|last3=Mukhopadhyay|first3=Subhas Chandra|date=2013|title=Giant Magnetoresistance (GMR) Sensors|url=https://doi.org/10.1007/978-3-642-37172-1|journal=Smart Sensors, Measurement and Instrumentation|language=en-gb|doi=10.1007/978-3-642-37172-1|issn=2194-8402}}</ref> مقاومت مغناطیسی غولپیکر همچنین در [[حافظه مغناطیسی]] دسترسی تصادفی به عنوان سلول‌هایی که یک بیت اطلاعات را ذخیره می کنند، استفاده می‌شود. |
|||
در نوشتار گاهی اصطلاح مغناطیسی غول پیکر با مقاومت مغناطیسی عظیم [[نیم‌رسانا|نیمه هادی‌های]] فرو مغناطیسی و ضد مغناطیسی اشتباه گرفته می شود، که مربوط به ساختار چند لایه نیست.<ref>{{Cite journal|last=Нагаев|first=Эдуард Леонович|date=1996-08-01|title=Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением|url=https://ufn.ru/ru/articles/1996/8/b/|journal=Успехи физических наук|language=ru|volume=166|issue=8|pages=833–858|doi=10.3367/ufnr.0166.199608b.0833|issn=0042-1294}}</ref><ref>{{Cite journal|title=Book sources|url=https://en.wikipedia.org/wiki/Special:BookSources/978-981-02-3276-4|journal=Wikipedia|language=en}}</ref> |
|||
[[پرونده:GMR.svg|بندانگشتی|تغییر در مقاومت ابر شبکه‌های Fe / Cr در میدان مغناطیسی خارجی H. جریان و میدان مغناطیسی با محور [[شاخص میلر|[110]]] موازی بودند. پیکان سمت راست حداکثر تغییر مقاومت را نشان می دهد.]] |
|||
== منابع == |
== منابع == |
||
نسخهٔ ۱۸ نوامبر ۲۰۲۰، ساعت ۰۹:۰۶
مقاومت مغناطیسی بزرگ یا GMR، یک اثر مقاومت مغناطیسی مکانیک کوانتومی است که متشکل از لایه های رسانای متناوب فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی است. جایزه نوبل سال ۲۰۰۷ فیزیک با این کشف به آلبر فر و پتر گرونبرگ رسید.
این اثر بسته به اینکه مغناطیس‌سازی لایه های فرومغناطیسی مجاور در یک مسیر موازی یا ضدموازی باشد، به شکل یک تغییر قابل توجه در مقاومت‌الکتریکی مشاهده می شود. مقاومت کلی برای مسیر موازی نسبتاً کم و برای مسیر ضد موازی نسبتاً زیاد است. جهت مغناطیس‌سازی می تواند کنترل شود، به عنوان مثال، با استفاده از یک میدان مغناطیسی خارجی این کار ممکن است. این اثر مبتنی بر وابستگی پراکندگی الکترون به جهت‌گیری چرخش است.
کاربرد اصلی سنسورهای میدان مغناطیسی برای خواندن داده‌ها در درایوهای دیسک، حسگرهای زیستی، سامانه‌های میکروالکترومکانیکی و دیگر دستگاه‌ها است.[۱] مقاومت مغناطیسی غولپیکر همچنین در حافظه مغناطیسی دسترسی تصادفی به عنوان سلول‌هایی که یک بیت اطلاعات را ذخیره می کنند، استفاده می‌شود.
در نوشتار گاهی اصطلاح مغناطیسی غول پیکر با مقاومت مغناطیسی عظیم نیمه هادی‌های فرو مغناطیسی و ضد مغناطیسی اشتباه گرفته می شود، که مربوط به ساختار چند لایه نیست.[۲][۳]
منابع
- ↑ Reig, Candid; Cardoso, Susana; Mukhopadhyay, Subhas Chandra (2013). "Giant Magnetoresistance (GMR) Sensors". Smart Sensors, Measurement and Instrumentation (به انگلیسی). doi:10.1007/978-3-642-37172-1. ISSN 2194-8402.
- ↑ Нагаев, Эдуард Леонович (1996-08-01). "Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением". Успехи физических наук (به روسی). 166 (8): 833–858. doi:10.3367/ufnr.0166.199608b.0833. ISSN 0042-1294.
- ↑ "Book sources". Wikipedia (به انگلیسی).