ویسکر

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو

مقدمه[ویرایش]

رشد ویسکر‌های نقره روی مقاومت الکتریکی.

ویسکر(به انگلیسی: (whisker(metallurgy )اوایل قرن بیستم میلادی، درست در دوره ی استفاده از لوله‌های مکش الکترونیک، برای لحیم کاری محصولاتشان از ویسکر قلع استفاده کردند. رشته‌های بسیار کوچک و باریکی که به مو شباهت داشتند در میان این قلع لحیم کاری، دیده شدند که در حال گسترش و رشد بودند. این رشته‌های باریک مدارهای بسیار کوتاهی را تشکیل میدادند.

بطور کلی میتوان مشاهده کرد که در صورت وجود تنش فشاری، ویسکر‌های فلزی شروع به شکل‌گیری می‌کنند.

برای کاهش سرعت رشد و شکل‌گیری ویسکر‌های فلزی، به قسمت هایی که با قلع لحیم شده بودند، سرب اضافه کردند.

با توجه به شرایط استفاده از مواد پرخطر، اتحادیه ی اروپا در قرن بیست و یکم، استفاده از قلع را در اکثر لوازم و محصولات الکترونیکی ممنوع کرد. بعد از آن، بر روی جلوگیری از گسترش ویسکر‌های فلزی با استفاده از غشاء اکسیژنی تمرکز شد.

مکانیزم[ویرایش]

ویسکر‌های قلع-سرب

پدیده ی ویسکر در فلزات، رشد خود بخودی و ناخواسته ی باریکه هایی به شکل مو در سطح فلزات را به ارمغان می‌آورد. این اتفاق بیشتر در عنصر فلزات رخ میدهد اما این امکان نیز وجود دارد که حتی ویسکرها در آلیاژ فلزات نیز مشاهده شوند.

مکانیزم رشد ویسکرها به‌طور کامل و دقیق درک نشده است اما بر طیق تجربه میتوان استنباط نمود که رشد ویسکرها با اعمال تنش فشاری رابطه ی مستقیمی دارد . ویسکر‌های فلزی بصورت رشته‌ای باریک و عمود به سطح فلز رشد و گسترش پیدا می‌کنند. برای رشد و گسترش ویسکر‌های فلزی هیچ نیازی به حضور میدان‌های الکترومغناطیسی یا انحلال فلز نیست. هنوز بطور قطعی علت رشد این ویسکرها ی فلزی مشخص نشده است.

آثار مخرب[ویرایش]

ویسکر‌های فلزی میتوانند باعث بوجود آمدن مدارهای کوچک و تخلیه ی الکتریکی در قطعات الکترونیکی شوند. این پدیده ابتدا در اوساط قرن بیستم میلادی توسط شرکت‌های مخابراتی کشف شد.

چندین رشته ویسکر فلز روی بر فولاد روکش روی
رشد و گسترش ویسکر(نوار باریکه)

یکی دیگر از آثار مخربی که در سرور‌های کامپیوتری مشاهده می‌شود، در واقع بخاطر شکل‌گیری ویسکر‌های روی می‌باشند. ویسکر‌های روی، از سطوح فلزی گالوانیزه شده با سرعت نزدیک به 1 میلیمتر در سال رشد می‌کنند. این ویسکر‌های فلزی بسیار باریک هستند و قطر آن‌ها تنها در حدود چند میکرومتر می‌باشد. این باریکی ِ بیش از اندازه ی ویسکر‌های فلز روی باعث می‌شود که این ویسکرها حتی از فیلتر‌های هوای داخل قطعات الکترونیکی نیز عبور کنند و باعث تشکیل مدار کوچک و آثار مخرب در روند کاری آن قطعه شود.

ویسکر‌های نقره معمولاً در محل اجتماع با یک لایه از نقره سولفید تشکیل می‌شوند. وجود هیدروژن سولفید و رطوبت بالا به گسترش و رشد ویسکر‌های فلزی بسیار کمک می‌کنند.

ویسکر‌های قلع در خلا میتوانند آثار بسیار مخربی داشته باشند. در قطعااتی که با انرژی بسیاری سر و کار دارند، یک جریان کوچک ویسکر به یک پلاسما یونیزه می‌شود و میتواند جریانی چند صد آمپری بوجود آورد که صدمات بسیار زیادی را به قطعه ی مورد نظر وارد میکند.

راهکار‌های کاهش آثار مخرب[ویرایش]

پوشش‌های سرامیکی و پلیمری میتوانند جلوی رشد و گسترش ویسکرها را تا حدودی بگیرند.

در برخی آزمایش‌ها به کمک پایانه‌های نیکل،طلا یا پالادیوم، با تشکیل یک روکش موفق به حدف ویسکر‌های فلزی شدند.

ویسکر‌های تک کریستالی[ویرایش]

ویسکر‌های تک کریستالی رشته‌هایی با ساختار بلوری نسبتاً کامل بوده و اغلب بدون نقص هستند. این امر باعث می‌شود که استحکام ویسکرها در برابر تنش،  به استحکام تئوری بدست آمده از مکانیک محیط‌های پیوسته نزدیک باشد. از تک کریستالی بودن ِ آن‌ها میتوان فهمید که خواص در طول کریستال، ناهمسانگرد می‌باشند.

ساختا پلی نانو ویسکر K. Kimura, S. Yamazaki, Y. Matsuoka, and Y. Yamashita

این ویسکرهای تک کریستالی قادرند تنش‌های کششی بسیار زیاد و در حدود 10 گیگاپاسکال را تحمل کنند و از خود انعطاف پذیری بسیار بالایی نشان دهند. همانگونه که پیش تر اشاره شد، اگر به جای این مقادیر بسیار کم و در ابعاد نانو، مقادیر بزرگتری ویسکر داشته باشیم باعث بروز مشکلات متنوعی، به خصوص در سیستم‌های الکتریکی می‌شوند.

از آنجایی که تولید و ساخت ویسکر‌های تک کریستالی برای مقادیر زیاد امری بسیار دشوار می‌باشد، ویسکر‌های تک کریستالی اغلب در کامپوزیت‌ها و در مقادیر کم مورد استفاده قرار میگیرند.

ابعاد آن‌ها به قدری کوچک می‌باشد که قابلیت واکنش پذیری شیمیاییِ آن‌ها را بسیار بالا میبرد و امکان دارد به راحتی از طریق تماس پوستی یا بطور شایع تر، از طریق تنفس وارد بدن انسان شوند و موجوب واکنش‌های خطرناک شیمیایی شوند و پیامد‌های مخربی در پی داشته باشند. به همین جهت استفاده از ویسکر‌های تک کریستالی برای مصارف رایج به کلی ممنوع شده‌است.

معمولا قطر مقاطع ِ نانو ویسکر‌های تک کریستالی بین 1 تا 100 نانومتر می‌باشد و آن‌ها بسیار باریک‌اند. نسبت ِ طول به قطر مقطع در نانو ویسکر‌های تک کریستالی بیش از 100 می‌باشد.

استفاده‌های گونان از نانوویسکر‌های تک کریستالی در کامپوزیت ها، در نهایت باعث در اختیار داشتن ِ ماده‌ای با خواص ِ بسیار بهبود یافته از نظر مقاومت در برابر تنش و ترک خوردن و شکست و خوردگی و بسیاری خواص مکانیکی دیگر می‌شود. بدین ترتیب میتوانیم برای دستگاه‌های خاص که مسلما موادی خاص هم برای ساخته شدنشان میطلبند، تهیه کنیم. بدون آنکه در ابعاد بزرگ تغییری ایجاد کنیم، با استفاده از ماهیت کوچک اما تأثیر گذار ِ نانو ویسکر‌های تک کریستال، ساختن ِ بسیاری از دستگاه‌های پیشرفته را عملی کنیم.

کاربرد هایی از نانو ویسکر[ویرایش]

بهبود خواص مکانیکی پلیمرهای مصنوعی و طبیعی:

ویسکر‌ها یا نانوکریستالهای سلولز که ذرات میله‌ای شکل با درجه تبلور بالا و سطح مشترک ویژه در حدود چند صد مترمربع در هر گرم هستند به دلیل ساختار تک کریستالی، شکل میله‌ای بلند و منظم و همچنین قیمت پایین، گزینه مناسبی هستند.این نانوویسکرها در دسترس و تجدید پذیر هستند.

جایگزین کردن محصولات حاصل از پلیمر‌های غیر‌قابل تجزیه‌‌ باماده‌ای زیست تخریب پذیر:

امروزه که یکی از چالش‌های اصلی جهان زبست تخریب پذیر نبودن تعداد کثیری از مصنوعات بشر است و این مسئله مشکلات زیست‌محیطی بسیاری را ایجاد نموده است ، سرمایه گذاری در این زمینه برای کاهش آلودگیهای زیست‌محیطی لازم بسیار پر اهمیت است.

بدین ترتیب نانو ویسکرها کاربرد‌های بسیار گسترده‌ای در جهت حفظ محیط زیست، پیشرفت‌های صنعتی و ...دارند.

بهینه سازی به کمک این نانو ویسکرها احتیاج به مطالعات گسترده و دستگاه‌های خاص و رعایت نکات امنیتی بسیاری می‌باشد، اما با توجه به پیشرفت‌های محسوسی که میتوان در این راستا داشت مسلما در آینده‌ای نزدیک، استفاده از آن‌ها در ساخت مواد بسیار گسترده تر خواهد شد.

جستار‌های وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]