ترانزیستور امیترچندگانه
یک ترانزیستور اِمیتِرچَندگانه (به انگلیسی: multiple-emitter transistor) یک ترانزیستور دوقطبی اختصاص‌یافته‌است که بیشتر در ورودی‌های مدار مجتمع تی‌تی‌الدروازه‌های منطقی NAND استفاده می‌شود. سیگنال‌های ورودی به امیترها اعمال می‌شود. ولتاژ ارائه شده به طبقه پیش‌رو درصورتی که هر یک یا چند پیوند بیس-امیتر بایاس مستقیم باشد، پایین می‌آید، و این امکان را می‌دهد که عملیات منطقی با استفاده از یک ترانزیستور انجام شود. ترانزیستورهای امیترچندگانه جایگزین دیودهای منطق دیود-ترانزیستور (DTL) می‌شوند تا منطق ترانزیستور-ترانزیستور (TTL) را بسازند،[۱] و در نتیجه امکان کاهش زمان کلیدزنی و اتلاف توان را فراهم می‌کنند.[۲][۳]
استفاده از دروازه منطقی از ترانزیستورهای امیترچندگانه در سال ۱۹۶۱ در انگلستان و در ایالات متحده در سال ۱۹۶۲ به ثبت رسید.[۴]
منابع[ویرایش]
- ↑ Bipolar-Junction (BJT) transistors بایگانی‌شده در ۳۱ مارس ۲۰۱۹ توسط Wayback Machine – UCSD ECE65 class notes
- ↑ Jacob Millman, Microelectronics: Digital and Analog Circuits and Systems, McGraw-Hill, 1979 شابک ۰−۰۷−۰۴۲۳۲۷-X, pp. 106–107
- ↑ Douglas J. Hamilton, William G Howard, Basic Integrated Circuit Engineering, McGraw Hill, 1975, شابک ۰−۰۷−۰۲۵۷۶۳−۹, pp. 457–467
- ↑ B. A. Boulter, The Multiple Emitter Transistor In Low Power Logic Circuits in Edward Keonjian (ed) Micropower Electronics, Elsevier, 2013, شابک ۱۴۸۳۱۵۵۰۳X, p. 105 ff