میکروسکوپ الکترونی روبشی
از ویکیپدیا، دانشنامهٔ آزاد
میکروسکوپ الکترونی روبشی یا SEM نوعی میکروسکوپ الکترونی است که قابلیت عکسبرداری از سطوح با بزرگنمایی ۱۰ تا ۱۰۰۰۰۰ برابر با قدرت تفکیکی در حد ۳ تا ۱۰۰ نانومتر (بسته به نوع نمونه) را دارد.
فهرست مندرجات |
[ویرایش] تاریخچه
نخستین تلاشها در توسعهٔ میکروسکوپ الکترونی روبشی به سال ۱۹۳۵ بازمیگردد که نول*[۱] و همکارانش در آلمان پژوهشهایی در زمینهٔ پدیدههای الکترونیک نوری انجام دادند. آرْدِن *[۲] در سال ۱۹۳۸ با اضافه کردن پیچههای جاروبکننده به یک میکروسکوپ الکترونی عبوری توانست میکروسکوپ الکترونی عبوری-روبشی بسازد.
استفاده از میکروسکوپ SEM برای مطالعهٔ نمونههای ضخیم اولین بار توسط زوُرِکین*[۳] و همکارانش در سال ۱۹۴۲ در ایالات متحده گزارش شد. قدرت تفکیک میکروسکوپهای اولیه در حدود ۵۰ نانومتر بود.
[ویرایش] نمونهها
- شکل
هر جامد یا مایعی که فشار بخاری کمتر از ۱۰-۳ تور داشته باشد.
- اندازه
محدودیت اندازه توسط طراحی میکروسکوپ الکترونی روبشی تعیین میشود. معمولاً نمونههایی با اندازهٔ ۱۵ تا ۲۰ سانتیمتر را میتوان در میکروسکوپ قرار داد.
- آمادهسازی
تکنیکهای پولیش و اچ متالوگرافی استاندارد برای مواد هادی الکتریسیته کافی هستند. مواد غیرهادی معمولاً با لایهٔ نازکی از کربن، طلا یا آلیاژهای طلا پوشش داده میشوند.
[ویرایش] برخی از کاربردها
- بررسی نمونههای آماده شده برای متالوگرافی در بزرگنمایی بسیار بیشتر از میکروسکوپ نوری.
- بررسی مقاطع شکست و سطوحی که اچ عمیق شدهاند و مستلزم عمق میدان بسیار بیشتر از میکروسکوپ نوری هستند.
- ارزیابی گرادیان ترکیب شیمیایی روی سطح نمونهها در فاصلهای به کوچکی ۱ میکرومتر
[ویرایش] محدودیت
- کیفیت تصویر سطوح تخت نظیر نمونههایی که پولیش و اچ متالوگرافی شدهاند، معمولاً در بزرگنمایی کمتر از ۳۰۰ تا ۴۰۰ برابر به خوبی میکروسکوپ نوری نیست.
