اتصال پی-ان

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو
یک اتصال پی‌ان. نماد مدار نشان داده شده است: مثلت به طرف «پی» مربوط می‌شود

اتصال P-N (به انگلیسی: P-N junction) اتصال یک نیمه‌رسانای مثبت با یک نیمه‌رسانای منفی است. این اتصال را می‌توان با روش کاشت یون، نفوذ دادن ناخالصی در نیمه‌رسانا، یا اپیتکسی ساخت.
این اتصال در ساخت دیود، دیود نورافشان، ترانزیستور، ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سلول خورشیدی کاربرد دارد.
گرچه هر دو نیمه رسانای مثبت و منفی بکاررفته در اتصال رساناهای خوبی هستند، اما در فصل مشترک اتصال، نارساناست. نارسانایی به این خاطرست که در نیمه‌رسانای مثبت، حفره‌های الکترونی با بار مثبت و در نیمه‌رسانای منفی، الکترون‌ها با بار منفی حامل بار الکتریکی‌اند و در فصل مشترک این دو گونه حامل بار به هم رسیده و همدیگر را خنثی می‌کنند. به این منطقه، ناحیه تخلیه می‌گویند.
اتصال شاتکی گونه‌ای از اتصال P-N است که در آن فلزی نقش نیمه‌رسانای منفی را بازی می‌کند.

جستارهای وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]

  • مشارکت‌کنندگان ویکی‌پدیا، «p–n junction»، ویکی‌پدیای انگلیسی، دانشنامهٔ آزاد (بازیابی در ۲۲ اوت ۲۰۱۴).
جستجو در ویکی‌انبار در ویکی‌انبار پرونده‌هایی دربارهٔ اتصال پی-ان موجود است.