اپیتکسی
اپیتکسی (به انگلیسی: Epitaxy) روشی برای پوشش لایهای تکبلور روی زیرلایهای تکبلور است. به لایه پوششی لایه اپیتکسی گفته میشود. واژه اپیتکسی ریشه یونانی دارد و از دو بخش اپی یعنی روی و تکسی یعنی در حالت منظم شکل گرفته است.
این روش با روش لایه نازک (پا توپوتکسی) که در آن لایهای از مواد آمورف یا چندبلور رشد داده میشوند تفاوت دارد. لایه اپیتکسی را میتوان از فاز مایع یا گاز درست کرد و ساختار نهاییش با زیر لایه یکی خواهد بود زیرا زیرلایه نقش بذر بلور را دارد.
اگر ترکیب لایه اپیتکسی با زیرلایه یکسان باشد، به آن اپیتکسی همگن homoepitaxy گفته میشود. از این روش برای دستیابی به ساختاری از یک ماده چند لایه که لایههایش دارای دوپینگهای مختلفی هستند (هر لایه دارای غلظت مشخصی از یک ناخالصیست) بکار میرود، مانند ساخت گونههایی از نیمهرساناها.
اگر ترکیب لایه اپیتکسی با زیرلایه یکسان نباشد، به آن اپیتکسی ناهمگن heteroepitaxy گفته میشود. ازین روش برای دستیابی به ساختاری چندلایه که هر لایه از تکبلور مادهای ویژه است، بکار میرود. برای نمونه میتوان از نیترید گالیوم روی پاقوت کبود، یا AlGaInP (فسفید آلومینیوم-گالیوم-ایندیوم) روی آرسنید گالیوم نام برد.
اپیتکسی در ساخت موادی که پایه ساختشان سیلیسیوماند مانند ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سیماس، و همچنین در ساخت نیمهرساناهای ترکیبی مانند آرسنید گالیوم کاربرد دارد.
[ویرایش] روشها
امروزه روشهای گوناگونی برای اپیتکسی وجود دارد مانند:
- رونشست باریکه مولکولی
- اپیتکسی لایه اتمی
- اپیتکسی فاز مایع
- اپیتکسی فاز بخار هیدرید
- اپیتکسی پرتو مولکولی فلز-آلی
