دیود ابرنورتاب

دیود ابرنوتاب (اس‌ال‌ای‌دی یا اس‌ال‌دی) یک منبع نوری نیم‌رسانایی گسیلنده لبه‌ای است که بر اساس ابرنورتابی ساخته شده‌است. آن‌ها توان و روشنایی بالای دیودهای لیزری را با همدوستی کم دیودهای گسیلنده نور معمولی ترکیب می‌کند. باند انتشار نوری آن در گستره ۵–۷۰۰ نانومتر است.^[۱]

پیشینه[ویرایش]

دیود ابرنورتاب برای اولین بار توسط کورباتوف و همکاران در سال (۱۹۷۱)^[۲]^[۳] و لی بوروس و میلر در سال (۱۹۷۳) گزارش شد.^[۴] در سال ۱۹۸۶ دکتر جرارد ای آلفونس در آزمایشگاه‌های ارسی‌ای (اس‌آرآی اینترنشنال)، طرحی جدید اختراع کرد که دیودهای ابرنورتاب با توان بالا را امکان‌پذیر می‌کند.^[۵] این منبع نور بعنوان یک جزء اصلی در نسل‌های بعدی ژیروسکوپ‌های فیبر نوری، مقطع‌نگاری همدوسی اپتیکی برای تصویربرداری پزشکی و لیزرهای کاواک تنظیم‌پذیر با کاربردهایی در مخابرات فیبر نوری توسعه یافته‌است. در سال ۱۹۸۹ این فناوری به جی‌ایی-ارسی‌ای در کانادا منتقل شد، که به بخشی از ایی‌جی‌اندجی تبدیل شد. دیودهای گسیلنده نور ابرنورتاب گاهی اوقات دیودهای ابرنورتابی یا ال‌ئی‌دی های ابرنورتاب نیز نامیده می‌شوند.

کاربرد اس‌ال‌ایی‌دی[ویرایش]

اس‌ال‌ایی‌دی در شرایطی که خواستار شدت نور زیاد و همدوستی فضایی هستند اما در جایی که نیاز به یک طیف خروجی نوری گسترده و هموار، دیودهای لیزر را نامناسب می‌کند، کاربرد پیدا می‌کنند. برخی از نمونه‌ها شاملمقطع‌نگاری همدوسی اپتیکی، تداخل سنجی نور سفید، حسگر نوری و ژیروسکوپ فیبر نوری است.

پیوند به بیرون[ویرایش]

مدخل دانشنامه فیزیک و فناوری لیزر
مروری کوتاه بر اصول عملکرد قطعه و پارامترهای عملکرد (PDF).

منابع[ویرایش]

↑ Ooi, B. S.; Cha, D.; Ng, T. K.; Majid, M. A.; Khan, M. Z. M. (2013-10-01). "Simultaneous quantum dash-well emission in a chirped dash-in-well superluminescent diode with spectral bandwidth >700 nm". Optics Letters (به انگلیسی). 38 (19): 3720–3723. doi:10.1364/OL.38.003720. ISSN 1539-4794. PMID 24081035. {{cite journal}}: |hdl-access= requires |hdl= (help)
↑ "Investigation of superluminescence emitted by a gallium arsenide diode". ResearchGate (به انگلیسی). Retrieved 2019-01-20.
↑ Miller, S. E.; Li, Tingye; Marcatili, E. A. J. (1973). "Part II: Devices and systems considerations". Proceedings of the IEEE. 61 (12): 1726–1751. doi:10.1109/PROC.1973.9362. ISSN 0018-9219.
↑ Lee, Tien-Pei; Burrus, C.; Miller, B. (1973). "A stripe-geometry double-heterostructure amplified-spontaneous-emission (superluminescent) diode". IEEE Journal of Quantum Electronics. 9 (8): 820–828. doi:10.1109/JQE.1973.1077738. ISSN 0018-9197.
↑ Alphonse, G. A.; Gilbert, D. B.; Harvey, M. G.; Ettenberg, M. (1988). "High-power superluminescent diodes". IEEE Journal of Quantum Electronics. 24 (12): 2454–2457. doi:10.1109/3.14376. ISSN 0018-9197.

[1] Ooi, B. S.; Cha, D.; Ng, T. K.; Majid, M. A.; Khan, M. Z. M. (2013-10-01). "Simultaneous quantum dash-well emission in a chirped dash-in-well superluminescent diode with spectral bandwidth >700 nm". Optics Letters (به انگلیسی). 38 (19): 3720–3723. doi:10.1364/OL.38.003720. ISSN 1539-4794. PMID 24081035. {{cite journal}}: |hdl-access= requires |hdl= (help)

[2] "Investigation of superluminescence emitted by a gallium arsenide diode". ResearchGate (به انگلیسی). Retrieved 2019-01-20.

[:0-3] Miller, S. E.; Li, Tingye; Marcatili, E. A. J. (1973). "Part II: Devices and systems considerations". Proceedings of the IEEE. 61 (12): 1726–1751. doi:10.1109/PROC.1973.9362. ISSN 0018-9219.

[4] Lee, Tien-Pei; Burrus, C.; Miller, B. (1973). "A stripe-geometry double-heterostructure amplified-spontaneous-emission (superluminescent) diode". IEEE Journal of Quantum Electronics. 9 (8): 820–828. doi:10.1109/JQE.1973.1077738. ISSN 0018-9197.

[5] Alphonse, G. A.; Gilbert, D. B.; Harvey, M. G.; Ettenberg, M. (1988). "High-power superluminescent diodes". IEEE Journal of Quantum Electronics. 24 (12): 2454–2457. doi:10.1109/3.14376. ISSN 0018-9197.

[۱]

[۲]

[۳]

[۴]

[۵]