اتصال درین مشترک

یک مدار سادهٔ درین مشترک با استفاده از ترانزیستور JFET(جزئیات بایاسینگ در شکل نشان داده نشده‌اند.)

در الکترونیک روش‌های مختلفی برای اتصال ترانزیستور پیوندی اثر میدان وجود دارد که یکی از مرسوم‌ترین آنها، اتصال درین مشترک یا سورس پیرو است.

مشخصات

مشخصات سیگنال کوچک این نوع اتصال به صورت زیر است:

	تعریف	مقدار	مقدار تقریبی	شرایط تقریب
بهره جریان	${A_{\mathrm {i} }}={i_{\mathrm {out} } \over i_{\mathrm {in} }}$	$\infty \$	$\infty \$
بهره ولتاژ	${A_{\mathrm {v} }}={v_{\mathrm {out} } \over v_{\mathrm {in} }}$	${\frac {g_{m}R_{\text{S}}}{g_{m}R_{\text{S}}+1}}$	$\approx 1$	$(g_{m}R_{\text{S}}\gg 1)$
مقاومت ورودی	$r_{\mathrm {in} }={\frac {v_{in}}{i_{in}}}$	$\infty \$	$\infty \$
مقاومت خروجی	$r_{\mathrm {out} }={\frac {v_{out}}{i_{out}}}$	$R_{\text{S}}\|{\frac {1}{g_{m}}}={\frac {R_{\text{S}}}{g_{m}R_{\text{S}}+1}}$	$\approx {\frac {1}{g_{m}}}$	$(g_{m}R_{S}\gg 1)$

جستارهای وابسته

• اتصال امیتر مشترک
• اتصال بیس مشترک
• اتصال کلکتور مشترک
• اتصال سورس مشترک
• اتصال گیت مشترک
• ترانزیستور اثرمیدانی
• ترانزیستور BJT

منابع

• Razavi، Behzad. Fundamentals of Microelectronics.
• Sedra-Smith. Microelectronic Circuits.