پرونده:Bv rdson.png
ظاهر
اندازهٔ این پیشنمایش: ۸۰۰ × ۵۶۰ پیکسل. کیفیتهای دیگر: ۳۲۰ × ۲۲۴ پیکسل | ۶۴۰ × ۴۴۸ پیکسل | ۱٬۰۲۴ × ۷۱۷ پیکسل | ۱٬۲۸۰ × ۸۹۶ پیکسل | ۱٬۵۰۰ × ۱٬۰۵۰ پیکسل.
پروندهٔ اصلی (۱٬۵۰۰ × ۱٬۰۵۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۸۲ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/png)
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
---|---|---|---|---|---|
کنونی | ۲۵ ژانویهٔ ۲۰۱۲، ساعت ۰۸:۲۴ | ۱٬۵۰۰ در ۱٬۰۵۰ (۸۲ کیلوبایت) | CyrilB~commonswiki | The "ideal" curve on previous figures was plotted using the following equation: 1.63e-8.Vbr^2.5. However, this equation is for P-devices (see B.J.Baliga "power semiconductor devices", PWS , ISBN 0-534-94098-6, 1995 p 373). For N devices, the constant is 5 | |
۳ مارس ۲۰۱۱، ساعت ۲۰:۴۷ | ۱٬۵۰۰ در ۱٬۰۵۰ (۸۸ کیلوبایت) | CyrilB~commonswiki | Correction of the y-axis label from ohm.cm-2 to ohm.cm2 | ||
۱۱ فوریهٔ ۲۰۰۶، ساعت ۱۸:۱۳ | ۱٬۵۰۰ در ۱٬۰۵۰ (۳۷ کیلوبایت) | CyrilB~commonswiki | Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the fol |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند:
کاربرد سراسری پرونده
ویکیهای دیگر زیر از این پرونده استفاده میکنند:
- کاربرد در da.wikipedia.org
- کاربرد در en.wikipedia.org
- کاربرد در es.wikipedia.org
- کاربرد در it.wikipedia.org
- کاربرد در ko.wikipedia.org
- کاربرد در zh.wikipedia.org