طرحنگار الکترونی: تفاوت میان نسخهها
KhabarNegar (بحث | مشارکتها) جز KhabarNegar صفحهٔ طرح نگار الکترونی را به طرحنگار الکترونی منتقل کرد: برای یک کلمه شدن. |
جز ربات: حذف میانویکی موجود در ویکیداده: ۱۲ میانویکی |
||
خط ۱۴: | خط ۱۴: | ||
[[رده:طرح نگاری]] |
[[رده:طرح نگاری]] |
||
[[cs:Elektronová litografie]] |
|||
[[de:Elektronenstrahllithografie]] |
|||
[[en:Electron beam lithography]] |
|||
[[fi:Elektronisuihkulitografia]] |
|||
[[fr:Lithographie à faisceau d'électrons]] |
|||
[[hi:इलेक्ट्रॉन किरण अश्मलेखन]] |
|||
[[ja:電子線描画装置]] |
|||
[[pl:Elektronolitografia]] |
|||
[[pt:Litografia por feixe de elétrons]] |
|||
[[ru:Электронная литография]] |
|||
[[vi:Quang khắc chùm điện tử]] |
|||
[[zh:电子束曝光]] |
نسخهٔ ۸ مارس ۲۰۱۳، ساعت ۱۵:۵۹
طرح نگار الکترونی
لیتوگرافی یا طرح نگاری الکترونی در اوایل دهه ۱۹۶۰ میلادی تقریبا هم همان زمان با طرح نگاری نوری ابداع شد. طرح نگار الکترونی از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) منشعب شده و بسیار شبیه آن است. این روش تنها با کشف پلیمر حساس به الکترون معروف به PMMA، امکان پذیر شد؛ تابش الکترون به PMMA، همانند تابش نور به پلیمر واسط در طرح نگار نوری است. ساخت طرح نانومتری بواسطه طرح نگاری الکترونی بسیار زودتر از طرح نگاری نوری انجام شد. از آنجا که پرتو الکترونی بسیار باریک فراهم گشت، طرح نگاری الکترونی با PMMA بسیار زود توانست وضوح تصویر بسیار بالاتری از آنچه که در آن زمان برای طرح نگاری نوری یک رویا بود دست یابد. در اوایل دهه ۱۹۷۰ میلادی، طرح نگاری الکترونی توانست طرحهای ۶۰ نانومتری ایجاد کند. در حال حاضر، طرح نگاری الکترونی بهمراه پلیمرهای واسط مخصوص و فرآیندهای شیمیایی مربوطه میتواند طرحهای کمتر از ۱۰ نانومتر ایجاد کند. بر خلاف طرح نگار نوری، در این روش از ماسک استفاده نمیشود به همین دلیل سرعت بسیار پایین تری نسبت به طرح نگار نوری دارد.
جستارهای وابسته
منابع
- Nanofabrication, Principles, Capabilities and Limits; Zheng Cui; 2008