ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخهها
جز ربات : استانداردسازی اینترویکی ها |
جز ربات: تصحیح جایگذاری کاما، شمارگان هزارگان |
||
خط ۴: | خط ۴: | ||
'''ترانزیستور اثر میدان'''، دستهای از [[ترانزیستور]]ها هستند که دارای سه پایهٔ [[سورس]] و [[درین]] و [[گیت]] میباشند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ترانزیستورهای اثر میدان اماواس]] (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET تقسیم میشوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با [[جریان]] ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت میگیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال [[ولتاژ]] به گیت صورت میگیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمعهای آنالوگ مانند IC و... استفاده میشود. |
'''ترانزیستور اثر میدان'''، دستهای از [[ترانزیستور]]ها هستند که دارای سه پایهٔ [[سورس]] و [[درین]] و [[گیت]] میباشند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه [[ترانزیستورهای اثر میدان اماواس]] (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET تقسیم میشوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان [[امیتر]] و [[کلکتور]] با [[جریان]] ورودی به [[بیس (ترانزیستور)|بیس]] صورت میگیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال [[ولتاژ]] به گیت صورت میگیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمعهای آنالوگ مانند IC و... استفاده میشود. |
||
فتها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی |
فتها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا میکنیم. یعنی پایهای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق میتوان پایه درین را از سورس تشخیص داد. |
||
==پایانهها== |
==پایانهها== |
نسخهٔ ۱۷ فوریهٔ ۲۰۱۱، ساعت ۱۵:۳۹
این مقاله به هیچ منبع و مرجعی استناد نمیکند. |
ترانزیستور اثر میدان، دستهای از ترانزیستورها هستند که دارای سه پایهٔ سورس و درین و گیت میباشند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ترانزیستورهای اثر میدان اماواس (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET تقسیم میشوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت میگیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ولتاژ به گیت صورت میگیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمعهای آنالوگ مانند IC و... استفاده میشود.
فتها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا میکنیم. یعنی پایهای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق میتوان پایه درین را از سورس تشخیص داد.
پایانهها
یکی از پایههای (پایانههای) ترانزیستور FET است. فت دارای سه پایه با نامهای درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل مینماید. فتها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور میکند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک میگردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.
در ویکیانبار پروندههایی دربارهٔ ترانزیستور اثر میدان موجود است. |