مغنامقاومت

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد

نسخه‌ای که می‌بینید نسخه‌ای قدیمی از صفحه است که توسط Rezabot (بحث | مشارکت‌ها) در تاریخ ‏۷ دسامبر ۲۰۱۹، ساعت ۲۱:۰۴ ویرایش شده است. این نسخه ممکن است تفاوت‌های عمده‌ای با نسخهٔ فعلی داشته باشد.

مقاومت مغناطیسی خاصیتی از ماده می‌باشد که افزایش میدان مغناطیسی موجب تغییر مقاوت الکتریکی ماده می‌شود. این اثر ابتدا توسط ویلیام تامسون (مشهور به لرد کلوین) در سال۱۸۵۱ میلادی کشف شد. وی بیش از ۵ درصد نتوانست مقاومت الکتریکی ماده را با استفاده از میدان مغناطیسی تغییر دهد؛ که این اثر، مغناطومقاومت معمولی نامیده می‌شود. ترکیبات کشف شده در سال‌های اخیر باعث کشف رده‌ای دیگر از این مواد با عنوان‌های مقاومت مغناطیسی بزرگ ،مقاومت مغناطیسی تونلی، مقاومت مغناطیسی عظیم، مقاومت مغناطیسی غیرعادی شده‌است.[۱]

کشف

این اثر ابتدا توسط ویلیام تامسون (مشهور به لرد کلوین) در سال۱۸۵۱ میلادی روی آهن کشف شد.[۲] وی مشاهده کرد با تغییر جهت جریان نسبت به جهت میدان مغناطیسی اعمال بر آهن، مقدار جریان تغییر می‌کند

منابع

  1. MLA style: "The Nobel Prize in Physics 2007". Nobelprize.org. Nobel Media AB 2013. Web. 25 Jun 2014. <http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2007/>
  2. W. Thomson, Proc. Royal Soc. London,Vol. 8, (1856-1857), pp.546-550.