پیش‌نویس:تشکیل نانوذرات ناشی از کاشت یون
تشکیل نانوذرات ناشی از کاشت یون ، تکنیکی برای ساخت ذرات نانومتری برای استفاده در الکترونیک است.
کاشت یون[ویرایش]
کاشت یون تکنیکی است که به طور گسترده در زمینه علم مواد برای اصلاح مواد مورد استفاده قرار میگیرد. اثری که بر روی نانومواد می گذارد، امکان دستکاری خواص مکانیکی، الکترونیکی، مورفولوژیکی و نوری را فراهم می کند.[۱]
نانومواد تک بعدی نقش بسیارمهمی در ایجادو تشکیل نانو دستگاه ها دارند، مانند ترانزیستورهای اثر میدانی ، نانو ژنراتورها و سلول های خورشیدی . پتانسیل چگالی ادغام بالا، مصرف انرژی پایین تر، سرعت بیشتر و فرکانس فوق العاده بالا را نتیجه می دهد.
اثرات کاشت یون با توجه به متغیرهای فراوان متفاوت است. آبشار برخورد امکان دارد در حین کاشت رخ دهد و این باعث تشکیل بینابینی و جای خالی در مواد هدف شود (اگرچه این عیوب امکان دارد به وسیله بازپخت دینامیکی کاهش یابد). حالت های برخورد عبارتند از برخورد هسته ای، برخورد الکترون و تبادل بار . فرآیند دیگر اثر کندوپاش یا اسپاترینگ(Sputtering) است که به طور قابل توجهی بر مورفولوژی(ریخت شناسی) و شکل نانومواد اثر می گذارد.
منابع[ویرایش]
- ↑ Qing Li, Wen; Xiao, Xiangheng; Stepanov, Andrey; Dai, Zhigao; wu, Wei; Xu Cai, Guang; Ren, Feng; Jiang, C (17 April 2013). "The ion implantation-induced properties of one-dimensional nanomaterials". Nanoscale Research Letters. 8 (1): 175. Bibcode:2013NRL.....8..175L. doi:10.1186/1556-276X-8-175. PMC 3668221. PMID 23594476.