کاف انرژی مستقیم و غیرمستقیم: تفاوت میان نسخه‌ها
محتوای حذف‌شده محتوای افزوده‌شده
Jhashemifar (بحث | مشارکت‌ها) بدون خلاصۀ ویرایش |
جز ربات: واگردانی خرابکاری محتمل 1.0,Jhashemifar,0.2.1 |
||
| خط ۱: | خط ۱: | ||
{{گسترش}} |
{{گسترش}} |
||
نیمه رساناها به دو دسته کلی تقسیم می شوند، نیمه رساناهای با گاف مستقیم و گاف غیر مستقیم. |
نیمه رساناها به دو دسته کلی تقسیم می شوند، نیمه رساناهای با گاف مستقیم و گاف غیر مستقیم. در گاف انرژی غیر مستقیم ، الکترون از نوار هدایت به نوار ظرفیت منتقل می‌شود، منتها ضمن انتقال دچار تغییر در اندازه حرکت می‌شود. چون K تغییر می‌کند و انرژی بجای انتشار فوتون عموماً بصورت گرما به شبکه داده می‌شود. در این نیم رسانا مینیمم باند هدایت در مقابل ماکزیمم باند ظرفیت قرار نگرفته است. از جمله اینگونه نیم رساناها می‌توان Si (سیلسیوم) را نام برد. |
||
{{خرد}} |
{{خرد}} |
||
نسخهٔ ۲۴ نوامبر ۲۰۱۵، ساعت ۱۶:۰۳
نیمه رساناها به دو دسته کلی تقسیم می شوند، نیمه رساناهای با گاف مستقیم و گاف غیر مستقیم. در گاف انرژی غیر مستقیم ، الکترون از نوار هدایت به نوار ظرفیت منتقل می‌شود، منتها ضمن انتقال دچار تغییر در اندازه حرکت می‌شود. چون K تغییر می‌کند و انرژی بجای انتشار فوتون عموماً بصورت گرما به شبکه داده می‌شود. در این نیم رسانا مینیمم باند هدایت در مقابل ماکزیمم باند ظرفیت قرار نگرفته است. از جمله اینگونه نیم رساناها می‌توان Si (سیلسیوم) را نام برد.
 | این یک مقالهٔ خرد است. می‌توانید با گسترش آن به ویکی‌پدیا کمک کنید. |