نیمه‌رسانای ذاتی

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به ناوبری پرش به جستجو

نیمه‌رسانای ذاتی (به انگلیسی: Intrinsic semiconductor) به نیمه‌رساناهایی گفته می‌شود که حاوی هیچ‌گونه ناخالصی نباشند. در این نیمه‌رساناها تعداد الکترون‌های نوار رسانش دقیقاً برابر با تعداد حفره‌ها در نوار ظرفیت است.

تعداد الکترون‌ها یا حفره‌ها در این مواد غلظت حامل ذاتی نامیده می‌شود که آن را می‌توان از انتگرال‌گیری ضرب احتمال پر بودن حالت انرژی E (که از تابع فرمی بدست می‌آید) در دانسیته حالت آن انرژی بر روی تمام انرژی‌های برابر یا بیشتر از لبهٔ جذب رسانش بدست آورد:

منابع[ویرایش]

  • Angus Rockett, The Materials Science of Semiconductors, Springer Science+Business Media, LLC, 2008. ISBN 978-0-387-25653-5

جستارهای وابسته[ویرایش]