داوون کانگ
ظاهر
داوون کانگ | |
|---|---|
| 강대원 | |
| زادهٔ | ۴ مهٔ ۱۹۳۱[۱] |
| درگذشت | ۱۳ مهٔ ۱۹۹۲ (۶۱ سال)[۲] |
| ملیت | کره جنوبی |
| پیشه | مهندسی برق |
| شناختهشده برای | ماسفت (MOS transistor) PMOS و NMOS دیود شاتکی نانو الکترونیک Floating-gate MOSFET حافظه غیرفرار ایپیرام |
داوون کانگ (انگلیسی: Dawon Kahng; ۴ مهٔ ۱۹۳۱[۳] – ۱۳ مهٔ ۱۹۹۲[۴]) مهندس اهل کره جنوبی بود.
وی همچنین برندهٔ جوایزی همچون مدال بالنتاین استیوارت شده است.
منابع
[ویرایش]- ↑ "Dawon Kahng". National Inventors Hall of Fame. 2009. Archived from the original on 28 March 2009. Retrieved 28 March 2009.
{{cite web}}: نگهداری یادکرد:ربات:وضعیت نامعلوم پیوند اصلی (link) - ↑ New York Times obituary
- ↑ "dawon kahng". national inventors hall of fame. 2009. Archived from the original on 28 March 2009. Retrieved 28 March 2009.
{{cite web}}: نگهداری یادکرد:ربات:وضعیت نامعلوم پیوند اصلی (link) - ↑ new york times obituary
- مشارکتکنندگان ویکیپدیا. «Dawon Kahng». در دانشنامهٔ ویکیپدیای انگلیسی، بازبینیشده در ۴ آوریل ۲۰۲۰.
ردهها:
- اهالی سئول
- دانشآموختگان دانشگاه ایالتی اوهایو
- درگذشتگان ۱۹۹۲ (میلادی)
- زادگان ۱۹۳۱ (میلادی)
- فیزیکدانان مواد نیمهرسانا
- کره جنوبیهای مهاجرتکرده به ایالات متحده آمریکا
- ماسفتها
- مخترعان سده ۲۰ (میلادی) اهل ایالات متحده آمریکا
- مهندسان اهل کره جنوبی
- مهندسان برق اهل ایالات متحده آمریکا
- مهندسان سده ۲۰ (میلادی) اهل ایالات متحده آمریکا
- مخترعان اهل کره جنوبی