پیوند پی–ان
پیوند P-N (به انگلیسی: P-N junction) اتصال یک نیم‌رسانای مثبت (پی) با یک نیم‌رسانای منفی (اِن) است. این پیوند را می‌توان با روش کاشت یون، نفوذ دادن آلاینده در نیم‌رسانا، یا ارونشست ساخت.
این نوع پیوند در ساخت دیود، دیود نورانی، ترانزیستور، ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سلول خورشیدی کاربرد دارد.
گرچه هر دو نیم‌رسانای پی و اِن بکاررفته در پیوند رساناهای خوبی هستند، اما محل پیوند، نارساناست. نارسانایی به این خاطرست که در نیم‌رسانای پی، حفره‌های الکترونی با بار مثبت و در نیم‌رسانای اِن، الکترون‌ها با بار منفی حامل بار الکتریکی‌اند و در محل پیوند این دو گونه حامل بار به هم رسیده و همدیگر را خنثی می‌کنند؛ لذا به این ناحیه که خالی از بار الکتریکی است، ناحیه تخلیه می‌گویند.
پیوند شاتکی گونه‌ای از پیوند P-N است که در آن فلزی نقش نیم‌رسانای اِن را بازی می‌کند.
تاریخچه
[ویرایش]اختراع پیوند p-n معمولاً به فیزیکدان آمریکایی راسل اوهل از آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۳۹ نسبت داده می‌شود.[۱] دو سال بعد (۱۹۴۱)، وادیم لشکریوف کشف پیوندهای p-n در فتوسلهای Cu2O و سولفید نقره و یکسوسازهای سلنیومی را گزارش کرد.[۲] نظریه نوین پیوندهای p-n توسط ویلیام شاکلی در اثر کلاسیک خود «الکترون‌ها و حفره‌ها در نیم‌رساناها» (۱۹۵۰) توضیح داده شد.[۳]
جستارهای وابسته
[ویرایش]منابع
[ویرایش]- ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1988). Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. W. W. Norton & Company. pp. 88–97. ISBN 978-0-393-31851-7.
- ↑ Lashkaryov, V. E. (2008) [1941]. "Investigation of a Barrier Layer by the Thermoprobe Method" (PDF). Ukr. J. Phys. 53 (special edition): 53–56. ISSN 2071-0194. Archived from the original (PDF) on 2015-09-28.
- ↑ Shockley, William (1950). Electrons and Holes in Semiconductors: With Applications to Transistor Electronics, Bell Telephone Laboratories series, Van Nostrand. ISBN 0-88275-382-7, 780882753829.
- مشارکت‌کنندگان ویکی‌پدیا. «p–n junction». در دانشنامهٔ ویکی‌پدیای انگلیسی، بازبینی‌شده در ۲۲ اوت ۲۰۱۴.
