رشد فرانک–وان در مروه: تفاوت میان نسخه‌ها
ایجاد شده به‌واسطهٔ ترجمهٔ صفحهٔ «Frank–Van der Merwe growth» |
(بدون تفاوت)
|
نسخهٔ ۲۳ آوریل ۲۰۲۲، ساعت ۱۲:۳۸
رشد فرانک-وان دِر مِروِه (به انگلیسی: Frank–Van der Merwe growth) (یا رشد FM) یکی از سه حالت اصلی است که توسط آن لایه‌های نازک به صورت برآرایی در سطح کریستال یا سطح مشترک رشد می‌کنند. همچنین به عنوان "رشد لایه-به-لایه" شناخته می شود. این یک مدل رشد ایده‌آل در نظر گرفته می‌شود که به همسان‌سازی شبکه کامل بین زیرلایه و لایه‌ای که روی آن رشد می‌کند نیاز دارد، و معمولاً به لایه‌نشانی‌همگون محدود می‌شود.[۱] برای اینکه رشد FM رخ دهد، اتم هایی که قرار است ته‌نشین شوند باید بیشتر جذب زیرلایه شوند تا یکدیگر، که برخلاف مدل رشد لایه-بعلاوه-جزیره است .[۲] رشد FM مدل رشد ترجیحی برای تولید پوسته‌های صاف است.[۳]
اولین بار توسط فیزیکدان آفریقای جنوبی یان ون در مروه و فیزیکدان بریتانیایی فردریش چارلز فرانک در مجموعه‌ای از چهار مقاله براساس تحقیقات دکترای ون در مروی بین سال های 1947 و 1949 توصیف شد. [۴]
همچنین ببینید
منابع
- ↑ Cor Claeys; Eddy Simoen (29 December 2008). Extended Defects in Germanium: Fundamental and Technological Aspects. Springer Science & Business Media. p. 158. ISBN 978-3-540-85614-6.
- ↑ John Venables (31 August 2000). Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge University Press. p. 146. ISBN 978-0-521-78500-6.
- ↑ Matthias Wuttig; X. Liu (17 November 2004). Ultrathin Metal Films: Magnetic and Structural Properties. Springer Science & Business Media. p. 6. ISBN 978-3-540-58359-2.
- ↑ "Journal of Materials Research: Volume 32 - Focus Issue: Jan van der Merwe: Epitaxy and the Computer Age | Cambridge Core". Cambridge Core (به انگلیسی). Retrieved 2018-01-24.