پرونده:MOSFET Manufacture - 4 - n+ diffusion.svg
ظاهر
حجم پیشنمایش PNG این SVG file:۳۰۰ × ۲۰۰ پیکسل کیفیتهای دیگر: ۳۲۰ × ۲۱۳ پیکسل | ۶۴۰ × ۴۲۷ پیکسل | ۱٬۰۲۴ × ۶۸۳ پیکسل | ۱٬۲۸۰ × ۸۵۳ پیکسل | ۲٬۵۶۰ × ۱٬۷۰۷ پیکسل.
پروندهٔ اصلی (پروندهٔ اسویجی، با ابعاد ۳۰۰ × ۲۰۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۴۰ کیلوبایت)
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمانها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
---|---|---|---|---|---|
کنونی | ۱۶ نوامبر ۲۰۰۹، ساعت ۰۱:۱۴ | ۳۰۰ در ۲۰۰ (۴۰ کیلوبایت) | Inductiveload | {{Information |Description=Complementary metal oxide-semiconductor (CMOS) manufacture process. A cross-section of the manufacture of a CMOS inverter.<br> Stage 4: ''n''+ diffusion. |Source={{own}} |Date=2009-11-16 |Author=[[User:Inductiveloa |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده میکند: