پرونده:Partially etched silicon dioxide via Nomarski DIC.jpg
اندازهٔ این پیش‌نمایش: ۸۰۰ × ۵۸۷ پیکسل. کیفیت‌های دیگر: ۳۲۰ × ۲۳۵ پیکسل | ۶۴۰ × ۴۶۹ پیکسل | ۱٬۰۲۴ × ۷۵۱ پیکسل | ۱٬۲۸۰ × ۹۳۹ پیکسل | ۲٬۱۱۳ × ۱٬۵۵۰ پیکسل.
پروندهٔ اصلی (۲٬۱۱۳ × ۱٬۵۵۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۷۵۵ کیلوبایت، نوع MIME پرونده: image/jpeg)
 | این پرونده در ویکی‌انبار موجود است. محتویات صفحهٔ توصیف آن در زیر نمایش داده می‌شود. |
خلاصه
| توضیح |
English: The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer in the region between two circuit die. The oxide should have been fully etched in the horizontal area at the center of the image, but in fact was not - because of a defect in processing. The irregular remaining oxide is highlighted by the Nomarski Differential Interference Contrast microscopy (DIC). |
| تاریخ | |
| منبع | اثر شخصی |
| پدیدآور | Richstraka |
The photo was imaged on color Polaroid® print film.
اجازه‌نامه
من، صاحب حقوق قانونی این اثر، به این وسیله این اثر را تحث اجازه‌نامه‌های ذیل منتشر می‌کنم:
این پرونده با اجازه‌نامهٔ کریتیو کامانز Attribution-Share Alike 3.0 سازگار نشده منتشر شده است.
- شما اجازه دارید:
- برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
- تلفیق کردن – برای انطباق اثر
- تحت شرایط زیر:
- انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شده‌اند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوه‌ای که پیشنهاد می‌کند که مجوزدهنده از شما یا استفاده‌تان حمایت کند.
- انتشار مشابه – اگر این اثر را تلفیق یا تبدیل می‌کنید، یا بر پایه آن اثری دیگر خلق می‌کنید، می‌‌بایست مشارکت‌های خود را تحت مجوز same or compatible license|یکسان یا مشابه با اصل آن توزیع کنید.
|
اجازهٔ کپی، پخش و/یا تغییر این سند تحت شرایط مجوز مستندات آزاد گنو، نسخهٔ ۱٫۲ یا هر نسخهٔ بعدتری که توسط بنیاد نرم‌افزار آزاد منتشر شده؛ بدون بخش‌های ناوردا (نامتغیر)، متون روی جلد، و متون پشت جلد، اعطا می‌شود. یک کپی از مجوز در بخشی تحت عنوان مجوز مستندات آزاد گنو ضمیمه شده است. |
می‌توانید مجوز دلخواه خود را برگزینید.
تاریخچهٔ پرونده
روی تاریخ/زمان‌ها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.
| تاریخ/زمان | بندانگشتی | ابعاد | کاربر | توضیح | |
|---|---|---|---|---|---|
| کنونی | ۲۷ سپتامبر ۲۰۰۹، ساعت ۲۱:۴۸ | | ۲٬۱۱۳ در ۱٬۵۵۰ (۷۵۵ کیلوبایت) | Richstraka~commonswiki | {{Information |Description={{en|1=The subject of this image is a silicon integrated circuit wafer in the region between two circuit die. The oxide should have been fully etched in the horizontal area at the center of the image, but in fact was not - becau |
کاربرد پرونده
صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده می‌کند:
کاربرد سراسری پرونده
ویکی‌های دیگر زیر از این پرونده استفاده می‌کنند:
- کاربرد در en.wikipedia.org
