پرش به محتوا

پرونده:HEMT-band structure scheme-en.svg

محتوای صفحه در زبان‌های دیگر پشتیبانی نمی‌شود
از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد

پروندهٔ اصلی(پروندهٔ اس‌وی‌جی، با ابعاد ۴۸۰ × ۳۷۰ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۱۹ کیلوبایت)

توضیح
English: Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode
Deutsch: Energiebandstruktur eines "High electron mobility"-Transistor (HEMT), dargestellt ist der Verlauf unter der Gate-Elektrode
تاریخ (UTC)
منبع
پدیدآور
w:fa:کرییتیو کامنز
انتساب انتشار مشابه
این پرونده با اجازه‌نامهٔ کریتیو کامانز Attribution-Share Alike 3.0 سازگار نشده منتشر شده است.
شما اجازه دارید:
  • برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
  • تلفیق کردن – برای انطباق اثر
تحت شرایط زیر:
  • انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شده‌اند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوه‌ای که پیشنهاد می‌کند که مجوزدهنده از شما یا استفاده‌تان حمایت کند.
  • انتشار مشابه – اگر این اثر را تلفیق یا تبدیل می‌کنید، یا بر پایه‌ آن اثری دیگر خلق می‌کنید، می‌‌بایست مشارکت‌های خود را تحت مجوز یکسان یا مشابه با ا اصل آن توزیع کنید.

سیاهه بارگذاری اصلی

This image is a derivative work of the following images:

Uploaded with derivativeFX

عنوان

شرحی یک‌خطی از محتوای این فایل اضافه کنید

آیتم‌هایی که در این پرونده نمایش داده شده‌اند

توصیف‌ها

تاریخچهٔ پرونده

روی تاریخ/زمان‌ها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.

تاریخ/زمانبندانگشتیابعادکاربرتوضیح
کنونی‏۱۹ دسامبر ۲۰۱۸، ساعت ۰۵:۳۱تصویر بندانگشتی از نسخهٔ مورخ ‏۱۹ دسامبر ۲۰۱۸، ساعت ۰۵:۳۱۴۸۰ در ۳۷۰ (۱۹ کیلوبایت)Hamad SpiderCorrected the overlap of the "r" and ")" characters in "(spacer)"
‏۱۹ ژانویهٔ ۲۰۱۶، ساعت ۱۷:۱۱تصویر بندانگشتی از نسخهٔ مورخ ‏۱۹ ژانویهٔ ۲۰۱۶، ساعت ۱۷:۱۱۴۸۰ در ۳۷۰ (۱۷ کیلوبایت)Heronspelling correction: two dimentional --> two-dimensional
‏۲۶ اوت ۲۰۰۹، ساعت ۲۳:۴۴تصویر بندانگشتی از نسخهٔ مورخ ‏۲۶ اوت ۲۰۰۹، ساعت ۲۳:۴۴۴۸۰ در ۳۷۰ (۴۲ کیلوبایت)Sfucorrect
‏۲۶ اوت ۲۰۰۹، ساعت ۲۳:۳۷تصویر بندانگشتی از نسخهٔ مورخ ‏۲۶ اوت ۲۰۰۹، ساعت ۲۳:۳۷۴۸۰ در ۳۷۰ (۴۲ کیلوبایت)Sfu{{Information |Description={{en|1=Electron energy band structure of a High Electron Mobility Transistor (HEMT) as cross section under the gate electrode }} {{de|1=Energiebandstruktur eines "High electron mobility"

صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده می‌کند:

کاربرد سراسری پرونده

ویکی‌های دیگر زیر از این پرونده استفاده می‌کنند:

فراداده