طیف‌سنجی جرم یون ثانویه

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو

طیف سنجی جرم یون ثانویه (به انگلیسی: Secondary ion mass spectrometry) یا سیمس (به انگلیسی: SIMS) یک تکنیک مورد استفاده در علم مواد و علم بررسی مواد حالت جامد می‌باشد. سیمس، تکنیک تجزیه و تحلیل ترکیب سطوح جامد و لایه‌های نازک، توسط کندوپاش سطح نمونه با پرتو یون متمرکز اولیه و جمع‌آوری و تجزیه و تحلیل یونهای خارج ثانویه‌است. این یون ثانویه همراه با طیف‌سنج جرمی اندازه‌گیری می‌شود و برای تعیین ترکیب عنصری، ایزوتوپی و یا مولکولی سطح کاربرد دارد. سیمس حساس‌ترین تکنیک تجزیه و تحلیل سطح است که قادر به تشخیص عناصر موجود در محدوده یک در میلیارد می‌باشد.

طرز کار[ویرایش]

نمونه‌ای که مورد بررسی و اندازه گیری است با یونهای اولیه که به صورت اتمی، مولکولی و یا خوشه‌ای هستند، با انرژی‌ای بین ۲۰۰ الکترون ولت تا ۲۵ هزار الکترون ولت بمباران می‌شود. بدین وسیله ذراتی به صورت خنثی، یون مثبت و یا یون منفی پدید می‌آیند. بیش از ۹۰ درصر این ذرات را ذرات خنثی تشکیل می‌دهند که قابل استفاده برای تجزیه و تحلیل نیستند و به همین دلیل باید از ذرات باردار جدا شوند. این ذرات باردار توسط جرم آنالیزر و یا همان فیلتر جرمی جدا می‌شوند.

یونها پس از جدا شدن از ذرات خنثی و گذشتن از طیف‌سنجی جرمی، به یک آشکارساز یا گروهای از دتکتورها می‌رسند. از شدت سیگنال به عنوان یک ابزار برای اندازه‌گیری درصد ترکیب استفاده می‌شود.[۱][۲][۳]

منابع[ویرایش]

  1. Einführung in die Sekundärionenmassenspektrometrie - SIMS - (Teubner Studienbücher Physik) [Taschenbuch]
  2. http://de.wikipedia.org/wiki/Massenspektrometrie
  3. ^ Benninghoven, A (1969). "Analysis of sub-monolayers on silver by secondary ion emission". Physica Status Solidi 34 (2): K169–171. Bibcode 1969PSSBR..34..169B