آراف سیماس: تفاوت میان نسخه‌ها
ایجاد شده توسط ترجمهٔ صفحهٔ «RF CMOS» |
(بدون تفاوت)
|
نسخهٔ ۱۸ نوامبر ۲۰۲۰، ساعت ۱۶:۴۵
آراِف سیماس یک فناوری مدار مجتمع با اکسید فلز- نیم‌رسانا (MOS) است که فرکانس رادیویی (RF) ، الکترونیک آنالوگ و دیجیتال را بر روی تراشه مدار آراف سیماس (MOS مکمل) با سیگنال ترکیب‌شده، ادغام می کند. [۱] [۲] به طور گسترده ای در مخابرات بی‌سیم مدرن مانند شبکه‌های سلولی ، بلوتوث ، وای-فای ، گیرنده های جی‌پی‌اس ، پخش همگانی، سامانه‌های مخابرات خودرویی و گیرنده‌های رادیویی در تمام تلفن های همراه نوین و دستگاه های شبکه‌سازی بی‌سیم استفاده می شود. فناوری آراف سیماس به پیشگامی مهندس پاکستانی اسد علی ادیبی در یوسی‌ال‌ای در اواخر دهه 1980 تا اوایل دهه 1990 بود و با معرفی پردازش سیگنال دیجیتال در مخابرات بی‌سیم به ایجاد انقلاب مخابرات بی‌سیم کمک کرد. توسعه و طراحی دستگاه های آراف سیماس با استفاده از مدل نویز آراف فت ون در زیل امکان پذیر شد. در اوایل دهه 1960 منتشر شد و تا دهه 1990 بیشتر فراموش شده بود. [۳] [۴][۵] [۶]
.jpg)
همچنین ببینید
منابع
- ↑ "Figure 1 Summary of SiGe BiCMOS and rf CMOS technology". ResearchGate (به انگلیسی). Retrieved 2019-12-07.
- ↑ RF CMOS Power Amplifiers: Theory, Design and Implementation. The International Series in Engineering and Computer Science (به انگلیسی). Vol. 659. Springer Science+Business Media. 2002. doi:10.1007/b117692. ISBN 0-7923-7628-5.
- ↑ A. van der Ziel (1962). "Thermal noise in field effect transistors". Proceedings of the IRE. 50: 1808–1812.
- ↑ A. van der Ziel (1963). "Gate noise in field effect transistors at moderately high frequencies". Proceedings of the IEEE. 51: 461–467.
- ↑ A. van der Ziel (1986). Noise in Solid State Devices and Circuits. Wiley-Interscience.
- ↑ T.M. Lee (2007). "The history and future of RF CMOS: From oxymoron to mainstream" (PDF). IEEE Int. Conf. Computer Design.