نیم‌رسانای ذاتی

نیمه‌رسانای ذاتی (به انگلیسی: Intrinsic semiconductor) به نیمه‌رساناهایی گفته می‌شود که حاوی هیچ‌گونه ناخالصی نباشند. در این نیمه‌رساناها تعداد الکترون‌های نوار رسانش دقیقاً برابر با تعداد حفره‌ها در نوار ظرفیت است.

تعداد الکترون‌ها و یا حفره‌ها در این مواد غلظت حامل ذاتی نامیده می‌شود که آن را می‌توان از انتگرال‌گیری ضرب احتمال پر بودن حالت انرژی E (که از تابع فرمی بدست می‌آید) در دانسیته حالت آن انرژی بر روی تمام انرژی‌های برابر و یا بیشتر از لبهٔ جذب رسانش بدست آورد:

$n_{i}=\int _{E_{c}}^{\infty }{f(E)g(E)dE}$

منابع

• Angus Rockett, The Materials Science of Semiconductors, Springer Science+Business Media, LLC, 2008. ISBN 978-0-387-25653-5

جستارهای وابسته

• نیمه‌رسانای غیرذاتی