ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخه‌ها
جز ربات: افزودن ro:Tranzistor unipolar |
اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان |
||
| خط ۱: | خط ۱: | ||
{{منبع}} |
{{بهبود منبع}} |
||
[[پرونده:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]] |
[[پرونده:P45N02LD.jpg|left|270px|thumb|[[ترانزیستور]]]] |
||
| خط ۹: | خط ۹: | ||
یکی از پایه‌های (پایانه‌های) ترانزیستور [[FET]] است. |
یکی از پایه‌های (پایانه‌های) ترانزیستور [[FET]] است. |
||
فت دارای سه پایه با نام‌های [[درِین]] D - [[سورس]] S و [[گیت]] G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. |
فت دارای سه پایه با نام‌های [[درِین]] D - [[سورس]] S و [[گیت]] G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. |
||
==اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان == |
|||
در مقایسه با ترانزیستورهای پیوندی، ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان یک وسیلهٔ حساس به ولتاژ دانست که [[امپدانس]] ورودی آن بسیاربسیار زیاد (در حدود ۱۰<sup>۱۴</sup> [[اهم]]) و امپدانس خروجی‌اش نیز به‌نسبت زیاد است. ماسفت‌ها در مقایسه با [[بی‌جی‌تی]]ها بسیار کوچکند به طوری که تنها ۱۰ تا ۲۰ درصد از فضای اشغال‌شده در توسط آن‌ها را اشغال می‌کنند و بنابراین در یک [[تراشه]]ٔ [[آی‌سی]] تعدادی زیادی ماسفت را می‌توان جای داد و به همین خاطر است که ماسفت‌ها کاربرد گسترده‌ای در [[یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس]] دارند. تفاوت دیگر ماسفت‌ها با ترانزیستورهای پیوندی در این است که ماسفت‌ها در بازه‌ای از گسترهٔ عملکردشان مانند یک مقاومت کنترل‌شده با ولتاژ عمل می‌کنند و نسبت به آی‌سی‌های مقاومتی مشابه جای کمتری در تراشه‌ها می‌گیرند. ویژگی سوم ماسفت‌ها مقاومت بسیار زیاد ورودی‌شان است؛ این ویژگی بدین معنا خواهد بود که ثابت زمانی مدار ورودی به قدری بالا است که اجازه می‌دهد بار الکتریکی ذخیره‌شده در خازن کوچک ورودی برای مدت طولانی باقی بماند و بتوان از آن به عنوان یک ابزار ذخیره‌سازی در مدارهای دیجیتال استفاده کرد. ویژگی چهارم ماسفت‌ها قابلیتشان در مصارف توان‌بالا است که می‌توانند جریان‌ها زیاد را در چند نانوثانیه کلیدزنی کنند که این مدت نسبت به آنچه در بیجیتیها امکان‌پذیر است بسیار سریع‌تر است. ویژگی چهارم امکان استفاده از ماسفت‌ها را در مدارهای فرکانس‌بالایِ توان‌بالا ممکن می‌سازد.<ref>{{پک|Schilling|1987|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ص=134}}</ref> مزیت دیگر ماسفت‌ها در مدارهای دیجیتال این است که توان مصرفی آن‌ها در حالت خاموش تقریباً صفر است.<ref>{{پک|Schilling|1987|ک=Electronic Circuits: Discrete and Integrated|ص=135}}</ref> |
|||
== منابع == |
|||
{{پانویس}} |
|||
* {{یادکرد کتاب |نام خانوادگی=Schilling |نام=Donald L. |کتاب=Electronic Circuits Discrete and Integrated | ناشر=McGRAW-HILL |سال=1987|شابک=0-07-055294-0|زبان=en}} |
|||
{{قطعات الکترونیکی}} |
{{قطعات الکترونیکی}} |
||
{{خرد}} |
{{خرد}} |
||
نسخهٔ ۱۹ اکتبر ۲۰۱۲، ساعت ۱۱:۴۱
 | برای تأییدپذیری کامل این مقاله به منابع بیشتری نیاز است. |
ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای از ترانزیستورها هستند که دارای سه پایهٔ سورس و درین و گیت می‌باشند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ترانزیستورهای اثر میدان ام‌اواس (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET تقسیم می‌شوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت می‌گیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ولتاژ به گیت صورت می‌گیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمع‌های آنالوگ مانند IC و... استفاده می‌شود.
فت‌ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم. یعنی پایه‌ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می‌توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.
پایانه‌ها
یکی از پایه‌های (پایانه‌های) ترانزیستور FET است. فت دارای سه پایه با نام‌های درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.
اهمیت و ویژگی‌های ترانزیستورهای اثر میدان
در مقایسه با ترانزیستورهای پیوندی، ترانزیستورهای اثر میدان را می‌توان یک وسیلهٔ حساس به ولتاژ دانست که امپدانس ورودی آن بسیاربسیار زیاد (در حدود ۱۰۱۴ اهم) و امپدانس خروجی‌اش نیز به‌نسبت زیاد است. ماسفت‌ها در مقایسه با بیجیتیها بسیار کوچکند به طوری که تنها ۱۰ تا ۲۰ درصد از فضای اشغال‌شده در توسط آن‌ها را اشغال می‌کنند و بنابراین در یک تراشهٔ آی‌سی تعدادی زیادی ماسفت را می‌توان جای داد و به همین خاطر است که ماسفت‌ها کاربرد گسترده‌ای در یکپارچه‌سازی بزرگ‌مقیاس دارند. تفاوت دیگر ماسفت‌ها با ترانزیستورهای پیوندی در این است که ماسفت‌ها در بازه‌ای از گسترهٔ عملکردشان مانند یک مقاومت کنترل‌شده با ولتاژ عمل می‌کنند و نسبت به آی‌سی‌های مقاومتی مشابه جای کمتری در تراشه‌ها می‌گیرند. ویژگی سوم ماسفت‌ها مقاومت بسیار زیاد ورودی‌شان است؛ این ویژگی بدین معنا خواهد بود که ثابت زمانی مدار ورودی به قدری بالا است که اجازه می‌دهد بار الکتریکی ذخیره‌شده در خازن کوچک ورودی برای مدت طولانی باقی بماند و بتوان از آن به عنوان یک ابزار ذخیره‌سازی در مدارهای دیجیتال استفاده کرد. ویژگی چهارم ماسفت‌ها قابلیتشان در مصارف توان‌بالا است که می‌توانند جریان‌ها زیاد را در چند نانوثانیه کلیدزنی کنند که این مدت نسبت به آنچه در بیجیتیها امکان‌پذیر است بسیار سریع‌تر است. ویژگی چهارم امکان استفاده از ماسفت‌ها را در مدارهای فرکانس‌بالایِ توان‌بالا ممکن می‌سازد.[۱] مزیت دیگر ماسفت‌ها در مدارهای دیجیتال این است که توان مصرفی آن‌ها در حالت خاموش تقریباً صفر است.[۲]
منابع
- Schilling, Donald L. (1987). Electronic Circuits Discrete and Integrated (به انگلیسی). McGRAW-HILL.
 | این یک مقالهٔ خرد است. می‌توانید با گسترش آن به ویکی‌پدیا کمک کنید. |
 |
در ویکیانبار پروندههایی دربارهٔ ترانزیستور اثر میدان موجود است. |