ترانزیستور اثر میدان: تفاوت میان نسخهها
جز حذف رده «الکترونیک» (با استفاده از ردهساز) |
جز افزودن سریع رده «قطعات الکترونیکی» (با استفاده از ردهساز) |
||
خط ۶: | خط ۶: | ||
[[رده:قطعات الکترونیکی]] |
|||
[[ar:مقحل حقلي]] |
[[ar:مقحل حقلي]] |
||
[[be:Палявы транзістар]] |
[[be:Палявы транзістар]] |
نسخهٔ ۱۵ مارس ۲۰۰۹، ساعت ۱۵:۳۹
این مقاله به هیچ منبع و مرجعی استناد نمیکند. |
ترانزیستور اثر میدان، دستهای از ترانزیستورها هستند که دارای سه پایه ی سورس و درین و گیت میباشند. این دسته از ترانزیستورها خود به دو گروه ترانزیستورهای اثر میدان اماواس (MOSFET) و ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا JFET تقسیم میشوند. در این نوع ترانزیستورها، برخلاف ترانزیستورهای دو قطبی پیوندی که کنترل جریان امیتر و کلکتور با جریان ورودی به بیس صورت میگیرد، کنترل جریان سورس و درین با اعمال ولتاژ به گیت صورت میگیرد.این ترانزیستورها در ساخت مجتمعهای آنالوگ مانند IC و... استفاده میشود.
فتها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا میکنیم. یعنی پایهای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق میتوان پایه درین را از سورس تشخیص داد.