جریان اشباع معکوس: تفاوت میان نسخه‌ها
Shahriarh91 (بحث | مشارکت‌ها) بدون خلاصۀ ویرایش |
Shahriarh91 (بحث | مشارکت‌ها) بدون خلاصۀ ویرایش |
||
| خط ۱: | خط ۱: | ||
'''جریان اشباع ''' یا '''جریان نشتی''' و یا به طور دقیق '''جریان اشباع معکوس''' (به انگلیسی : reverse saturation current) که با Is یا Ir نشان داده می شود، جریانی است که در شرایط بایاس معکوس، از دیود یا هر [[اتصال_پی-ان|پیوند PN]] دیگری (مانند پیوند بیس-کلکتور ترانزیستور که به طور معکوس بایاس می شود) عبور می کند. مقدار این جریان وابسته |
'''جریان اشباع ''' یا '''جریان نشتی''' و یا به طور دقیق '''جریان اشباع معکوس''' (به انگلیسی : reverse saturation current) که با Is یا Ir نشان داده می شود، جریانی است که در شرایط بایاس معکوس، از دیود یا هر [[اتصال_پی-ان|پیوند PN]] دیگری (مانند پیوند بیس-کلکتور ترانزیستور که به طور معکوس بایاس می شود) عبور می کند. مقدار این جریان وابسته به دماست و به ولتاژ معکوس دیود بستگی ندارد مگر اینکه دیود وارد ناحیه شکست شود که در این حالت، جریان اشباع شدیدا و به طور ناگهانی افزایش پیدا می کند. مقدار این جریان در المان های مختلف متاوت است. در دیود معمولی و در دمای اتاق مقدار جریان اشباع در حدود چند میکرو آمپر است و می توان از آن صرف نظر کرد. علت به وجود آمدن جریان اشباع معکوس، نفوذ الکترون ها و حفره ها از دو طرف لایه سد به درون این لایه و سپس رانده شدن آنها به سمت مقابل توسط میدان الکتریکی موجود در لایه سد است. این جریان وابستگی شیدیدی به دما دارد. به طور تجربی می توان گفت که به ازای ۱۰ درجه افزایش دما مقدار این جریان دو برابر می شود.<ref>Steadman, J. W. (1993). "Electronics" in R. C. Dorf, The Electrical Engineering Handbook. Boca Raton: CRC Press.</ref> |
||
== منابع == |
== منابع == |
||
نسخهٔ ۴ آوریل ۲۰۱۶، ساعت ۱۱:۵۸
جریان اشباع یا جریان نشتی و یا به طور دقیق جریان اشباع معکوس (به انگلیسی : reverse saturation current) که با Is یا Ir نشان داده می شود، جریانی است که در شرایط بایاس معکوس، از دیود یا هر پیوند PN دیگری (مانند پیوند بیس-کلکتور ترانزیستور که به طور معکوس بایاس می شود) عبور می کند. مقدار این جریان وابسته به دماست و به ولتاژ معکوس دیود بستگی ندارد مگر اینکه دیود وارد ناحیه شکست شود که در این حالت، جریان اشباع شدیدا و به طور ناگهانی افزایش پیدا می کند. مقدار این جریان در المان های مختلف متاوت است. در دیود معمولی و در دمای اتاق مقدار جریان اشباع در حدود چند میکرو آمپر است و می توان از آن صرف نظر کرد. علت به وجود آمدن جریان اشباع معکوس، نفوذ الکترون ها و حفره ها از دو طرف لایه سد به درون این لایه و سپس رانده شدن آنها به سمت مقابل توسط میدان الکتریکی موجود در لایه سد است. این جریان وابستگی شیدیدی به دما دارد. به طور تجربی می توان گفت که به ازای ۱۰ درجه افزایش دما مقدار این جریان دو برابر می شود.[۱]
منابع
- ↑ Steadman, J. W. (1993). "Electronics" in R. C. Dorf, The Electrical Engineering Handbook. Boca Raton: CRC Press.