چاپ سنگی نانو

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد

لیتوگرافی یک واژه یونانی است که حکاکی بر روی سنگ معنی می‌شود

تشکیل یک طرح لیتوگرافی از یک الگو روی یک ماده الکترونیک و انتقال آن طرح به ماده‌ای دیگر برای تولید یک ابزار الکترونیکی یا نوری است

لیتوگرافی برای ساخت مدارهای مجتمع، ابزارهای ذخیره اطلاعات و سنسورهای مینیاتوریزه شده و سیستم‌های میکروالکترومکانیک و نانوالکترومکانیک تراشه‌های زیستی استفاده می‌شود

که این انتقال به دو روش صورت می‌گیرد

روش انتقال تصویر[ویرایش]

الف) نوشتن یا حکاکی مستقیم (حکاکی سری)

مزایا: ایجاد الگوهای دلخواه با قدرت تفکیک بالا و ثبت دقیق

معایب: پایین بودن بازده و سرعت.

ب) انتقال طرح با ماسک نوری با استفاده از روش‌های متداول تابش:

این طرح شامل روش‌های لیتوگرافی نوری، چاپ تماسی و لیتوگرافی مُهر نانویی می‌شود.

مزایا: مفید برای تولید با بازده بالا و در مقیاس وسیع.

معایب: نمی‌توان طرح‌ها را به‌صورت دلخواه اعمال کرد.

لیتوگرافی باعث می‌شود دمای نمونه تا بیش از ۱۰۰ درجه سانتیگراد افزایش یابد. پس استفاده از این روش‌ها برای مواد نرم و زیستی

مناسب نیست و باید از روش‌هایی که نیاز به چنین دمایی ندارند، استفاده کرد.

انواع روش‌های لیتوگرافی[ویرایش]

  1. لیتوگرافی نوری
  2. لیتوگرافی نرم
  3. لیتوگرافی باریکه الکترونی
  4. لیتوگرافی قلم آغشته

لیتوگرافی نوری[ویرایش]

لیتوگرافی نوری قدیمی‌ترین روش برای ایجاد طرح است.

از لیتوگرافی نوری، برای ساخت پردازنده‌های رایانه و انواع مدارهای مجتمع استفاده می‌شود.

این فناوری قابلیت ارتقا برای تولید ساختارهایی با ابعاد کمتر از ۱۰۰ نانومتر را دارد. اما انجام این کار بسیار مشکل، گران و پردردسر است.

لیتوگرافی نوری در اصل تعمیم یافتهٔ عکاسی است. اول چیزی شبیه نگاتیو عکاسی از شِمای مدار مجتمع تهیه می‌شود. این نگاتیو که در اینجا «ماسک» نامیده می‌شود، برای تکثیر طرح روی یک ماده نیمه هادی به کار می‌رود. تهیهٔ نگاتیو به سادگی عکاسی نیست، اما با داشتن آن می‌توان به راحتی هزاران نسخه تکثیر کرد.

که روند این کار به دو بخش اصلی تقسیم می‌شود:

  1. تهیهٔ ماسک که امکان دارد هزینه بر باشد.
  2. استفاده از ماسک برای تهیهٔ نسخه‌های بعدی که باید سریع و ارزان

باشد.

برای تولید ماسکِ یک قطعهٔ رایانه ای، ابتدا شِمای مدار در مقیاس به نسبت بزرگ طراحی می‌شود. سپس این طرح به صورت لایهٔ نازکی از فلز که اغلب کُروم است روی صفحهٔ شفافی که اغلب شیشه یا سیلیکون است در می‌آید که در مجموع به آن «ویفر» گفته می‌شود.

سپس لیتوگرافی نوری، در فرایندی شبیه آنچه در تاریک خانهٔ عکاسی اتفاق می‌افتد، ابعاد طرح را کوچک می‌کند. برای این کار یک دسته پرتو نور که اغلب نور فرابنفشِ یک لامپ جیوه است از ماسک عبور می‌کند و با استفاده از یک عدسی، تصویری روی سطح سیلیکون تشکیل می‌دهد.

روی سیلیکون با لایه ای که از جنس پلیمرهای آلی حساس به نور فوتورِزیست پوشانده شده‌است. قسمت‌هایی که نور دیده‌اند در فرایند تثبیت، حذف می‌شوند و طرحی معادل طرح اولیه روی سطح سیلیکون آشکار می‌شود.

روش لیتوگرافی نوری با اشعه ماوراءبنفش:

فرایند: ابتدا سطح نیمه‌رسانا (ویفر سیلیکونی) را با لایه نازکی از یک ماده مقاوم حساس به نور پوشانده می‌شود. بدین صورت که مقدار کمی از محلول حاوی ماده photo-resist بر روی سطح زیرلایه ریخته شده و سپس زیرلایه با سرعت بالایی حول محور خودش چرخانده می‌شود تا محلول اضافی تبخیر و خارج شود. در نتیجه، لایه نازکی از ماده مقاوم در حالت جامد با ضخامت ۲–۰٫۱ میکرومتر بر روی سطح زیرلایه ایجاد می‌شود. در ادامه، زیرلایه پوشش داده‌شده با ماده مقاوم

تحت عملیات حرارتی پخت قرار می‌گیرد تا حلال باقیمانده به‌طور کامل خارج شده و برای ایجاد طرح آماده شود.

برای ایجاد طرح، پرتوی فرابنفش با طول موج ۴۳۶–۱۹۳ نانومتر از میان یک ماسک نوری بر اساس طرح مدار مورد نظر عبور کرده و به

ماده مقاوم برخورد می‌کند. ماسک نوری معمولاً از جنس کوارتز یا شیشه است. بخش‌هایی از ماده مقاوم که در معرض تابش فرابنفش قرار

گرفته‌است، دچار واکنش‌هایی شده و به این ترتیب، وزن مولکولی آن و لذا قابلیت انحلال آن در حلال تغییر می‌کند. حال زیرلایه پوشش

داده‌شده با ماده مقاوم که در معرض تابش قرار گرفته‌است، به وسیله یک محلول شیمیایی مناسب موسوم به ظاهرکننده

شستشو داده می‌شود و طرح موردنظر در اثر فرایند اچ بر روی زیرلایه ایجاد می‌شود. می‌توان با تکرار این فرایند طرح‌های پیچیده‌ای

را بر روی سطح زیرلایه به وجود آورد. دراثر تابش فرابنفش، تغییر حلالیت ماده مقاوم در محلول ظاهرکننده به‌دلیل شکسته‌شدن

پیوندها (مقاوم مثبت) یا ایجاد اتصالات عرضی (مقاوم منفی) صورت می‌گیرد. در این حالت، انحلال ماده مقاوم مثبت در ناحیه طرح

افزایش و انحلال ماده مقاوم منفی کاهش می‌یابد. «پلی‌متیل‌متاکریلات» یکی از انواع مقاوم‌های مثبت است. مواد مقاوم منفی حد

تفکیک و کنتراست کمتری نسبت به مواد مقاوم مثبت دارند. هالیدهای فلزی، اکسیدهای فلزی و اکسیدهای نیمه‌رسانا جزء مواد غیرآلی

هستند که به عنوان ماده مقاوم مورد استفاده قرار می‌گیرند.

شکل مختلف لیتوگرافی نوری[ویرایش]

  1. چاپ تماسی
  2. چاپ مجاورتی
  3. چاپ پرتوافکنی

در روش‌های چاپ تماسی و مجاورتی، ماسک نوری در تماس با ماده مقاوم یا در نزدیکی آن قرار داده می‌شود. در حالت

کلی، روش‌های چاپ تماسی و مجاورتی قادر به ایجاد الگوهای با ابعاد چند میکرومتر هستند؛ بنابراین، معمولاً برای تولید

الگوهایی با حد تفکیک متوسط به‌ویژه در آزمایشگاه‌ها و شرکت‌های نه چندان بزرگ مورد استفاده قرار می‌گیرد. لیتوگرافی نوری در

بسیاری از کارهای پژوهشی معمولاً به صورت چاپ تماسی یا مجاورتی انجام می‌شود.

سیستم چاپ پرتوافکنی از یک عدسی نوری برای انتقال الگو از یک لیزر اکسمر

بر روی ماده مقاوم استفاده می‌کند که باعث کاهش اندازه الگو به میزان ۲ تا ۱۰ برابر می‌شود.

این روش

علاوه بر سیستم عدسی نوری پیشرفته، نیازمند استفاده از سیستم‌های کنترل دقیق دما و مکان است که موجب بالا رفتن هزینه‌های ساخت

آن می‌شود. پس، این روش در ساخت ICهای پیشرفته و تراشه‌های CPU به کار برده می‌شود.

محدودیتهای لیتوگرافی نوری[ویرایش]

لیتوگرافی نوری یکی از روش‌های پرکاربرد در صنعت الکترونیک است، اما استفاده از این روش برای تولید نانوساختارها

با محدودیت‌هایی همراه است.

۱) کوچکترین طول موج فرابنفشی که در فرایند تولید استفاده می‌شود، ۲۵۰ نانومتر است.

سعی در تهیهٔ ساختارهای با ابعاد کمتر از این طول موج، مثل سعی در خواندن نوشته‌های بسیار ریز است.

پدیدهٔ «پراش» باعث محو شدن نوشته‌ها می‌شود.

کوچکترین ساختارهایی که تولید انبوه شده‌اند، ابعادی در حدود ۱۰۰ نانومتر دارند. با این حال، این ابعاد هنوز برای دستیابی به بسیاری خواص نانوساختارها به

اندازهٔ کافی کوچک نیستند.

۲) پیامد بخش شماره ۱ است. انجام این کار بسیار گران تمام می‌شود. ابزارهای لیتوگرافی که برای ساخت عناصری با ابعاد کمتر از ۱۰۰ نانومتر به کار می‌روند هر کدام ۱۰ تا ۱۰۰ میلیون دلار ــ یعنی در حدود ۲۰ تا ۲۰۰ میلیارد تومان ــ قیمت دارند.

صرف این هزینه شاید برای تولیدکنندگان منطقی نباشد، اما برای فیزیکدانها، زیست شناسان، مهندسان مواد و شیمیدانها که برای بررسی خواص سیستم‌های نانومتری به تولید ساختارهای با طراحی خودشان نیاز دارند، ضروری است. در برخی موارد برای رفع این مشکل از پرتوی الکترونی یا اشعهٔ ایکس با طول موج ۱/۰ تا ۱۰ نانومتر یا نور شدید فرابنفش با طول موج بین ۱۰ تا ۷۰ نانومتر استفاده می‌شود که بسیار پرهزینه و از نظر فنی دشوار است؛ بنابراین، دانشمندان برای ساخت

نانوساختارها درصدد استفاده از روش‌های ساده‌تر و ارزان‌تر برآمدند. آنها به جای نور و الکترون از فرایندهای مکانیکی

مانند آنچه در زندگی روزمره با آنها سر و کار داریم مانند چاپ، مهر زدن، قالبسازی و شابلون استفاده کردند. این روشها

لیتوگرافی نرم نامیده می‌شوند.

لیتوگرافی نرم[ویرایش]

این روش چون از یک قالب پلیمری که طبیعتی نرم دارد و زود ذوب می‌شود استفاده می‌شود، لیتوگرافی نرم خوانده می‌شود. برای تکثیر

با لیتوگرافی نرم، اول باید یک قالب یا مهر ایجاد کرد. معمول‌ترین روش برای این کار لیتوگرافی نوری روی یک سطح سیلیکونی است. این فرایند یک الگوی اولیه با طرحهای برجستهٔ حساس به نور ایجاد می‌کند که از سطح سیلیکونی بیرون زده‌اند. سپس مایع پلیمری روی این سطح برجسته ریخته شده و به یک جامد نرم لاستیکی تبدیل می‌گردد. در نتیجه مهری پلیمری ساخته می‌شود که با الگوی اولیه برابری کامل دارد. شکل‌های روی مهر در حد چند نانومتر با الگوی اولیه فرق دارند. اگر چه ایجاد یک الگو اولیه با نقوش ظریف برجسته پرهزینه است، ولی تکثیر الگو روی مهرهای پلیمری ارزان و آسان است. مهر پلیمری می‌تواند برای ساخت نانوساختارها استفاده شود.

یکی از روشهای لیتوگرافی نرم، روش چاپ با تماس میکرومتری است. مهر پلیمری به یک محلول مؤثر شامل مولکولهای آلی به نام تیول که در نقش جوهر آغشته می‌شود. سپس مهر به روی یک فیلم نازک طلا که در نقش کاغذ که روی شیشه، سیلیکون یا صفحه پلیمری قرار گرفته، زده می‌شود. تیول با سطح طلا واکنش می‌دهد و فیلم کاملاً منظمی را ایجاد می‌کند که طرح مهر را دارد. به خاطر پخش شدن جوهر تیول بعد از تماس با سطح، دقت تک لایه نمی‌تواند به اندازه مهر پلیمری باشد. وقتی این روش به‌طور مستقیم مورد استفاده قرار می‌گیرد می‌توان شکل‌هایی به کوچکی ۵۰ نانومتر ایجاد کرد.

با روش‌های دیگری از لیتوگرافی نرم دانشمندان ساختارهای کوچکتر از ۱۰ نانومتر را نیز تولید کرده‌اند. در کل، روشهای لیتوگرافی نرم نیاز به ابزار خاصی ندارند و در یک آزمایشگاه معمولی دستی نیز قابل انجام هستند. روش‌های لیتوگرافی نوری معمول باید در شرایط پاک در اتاق تمیز، دور از گرد و غبار صورت گیرند. اگر تنها یک ذرهٔ کوچک روی الگوی اولیه بنشیند، یک نقطهٔ ناخواسته روی تمامی طرح‌ها ایجاد می‌شود. در نتیجه ابزار ساخته شده و گاهی ابزارهای مرتبط با آن ممکن است از کار بیفتند. اما لیتوگرافی نرم این مشکل را ندارد، چون مهر پلیمری نرم است، اگر ذرهای غبار بین مهر و صفحه قرار گیرد، مهر روی

ذره فشرده می‌شود و تماس کامل با سطح را حفظ می‌کند؛ بنابراین، غیر از مواردی که محتویات داخل قالب بمانند، طرح درست ایجاد

خواهد شد.

لیتوگرافی باریکه الکترونی:

در لیتوگرافی نوری از امواج الکترومغناطیس با طول موج مشخص استفاده می‌شود، به همین دلیل این روش وضوح محدودی داشته و برای

لیتوگرافی در مقیاس نانو مناسب نیست. در صورتی‌که از باریکه الکترونی به جای امواج الکترومغناطیس استفاده شود، امکان

دست‌یابی به وضوح عالی با تنظیم انرژی پرتوی الکترونی وجود دارد؛ چرا که در این شرایط می‌توان طول موج حرکت الکترون‌ها را

کاهش داد.

نانولیتوگرافیِ قلمِ آغشته[ویرایش]

«نانولیتوگرافیِ قلمِ آغشته» که به‌طور خلاصه DPN نامیده می‌شود، روش نوینی برای طراحی سیستم‌ها در مقیاس نانومتری است.

در این روش یک سوزن بسیار نوک تیز، مواد شیمیایی (جوهر) را روی سطح مورد نظر می‌نشاند. با این روش، که شبیه استفاده از

پر برای نوشتن است، نقش‌هایی به ریزی چند ده نانومتر قابل ترسیم‌اند. همچنین می‌توان انواع گوناگونی از جوهرها، از پوشش‌های

فلزی گرفته تا ذرات نانومتری یا مولکول‌های زیستی را در شرایط کنترل‌شده به کار گرفت.

این روش توسط «سی میرکین» و همکارانش در دانشگاه «نورث وسترن» ابداع شد. آنها توانستند مولکول‌ها را در فرایندی

قابل کنترل با استفاده از نوک سوزن یک میکروسکوپ نیروی اتمی روی سطح بنشانند.

در کارهای اولیه‌ای که به روش DPN انجام می‌شد، مولکول آلی «تایول» و سطح طلا به کار می‌رفتند. با استفاده از این

سیستم، عوامل مؤثر در انتقال جوهر و حد دقت آن مشخص شد. به‌ویژه معلوم گردید که پخش جوهر بر روی سطح، برای

این سیستم، به عوامل محیطی مانند دما و رطوبت وابسته است. متخصصان با کنترل این عوامل موفق به دستیابی به دقت

بیشتر در ترسیم شدند. علاوه بر این، محققان توانستند لایه‌ای به ارتفاع فقط یک مولکول، به تفکیک ۱۲ نانومتر، را با

استفاده از AFM به دست آورند.

مقصود از تفکیک حداقل فاصلة قابل رعایت بین دو نقطه در طرح است، به طوری که دو نقطه از هم قابل تجزیه باشند. این

مفهوم معادل قدرت تفکیک در چاپگرهاست.

قدرت بی‌نظیر DPN و قابلیت‌های وسیع آن، توجه محققان زیادی را به خود جلب کرد. آنها دست به آزمایش‌های زیادی با

این تکنیک زدند. در نتیجة این تحقیقات، آنها متوجه شدند فرایند DPN برای تعداد زیادی از مولکول‌ها به عنوان جوهر قابل

انجام است: سورفکتانت‌ها، مولکول‌های بزرگِ باردار مانند پروتئین‌ها و پولیمرها، مواد تشکیل‌دهندة سل‌ژل، اکسیدهای

فلزی و حتی نانوذرات. سطوح قابل استفاده شامل فلزات (مانند طلا اگر از تیول به عنوان جوهراستفاده شود)، نارساناها

(مانند اکسید آلومینیوم یا اکسید سیلیکون) و نیمه‌رساناها (مانند آرسنید گالیم) هستند.

سورفَکتانت‌ها موادی آلی هستند، دارای یک سر قطبی و یک سر غیرقطبی. سر قطبی در آب محلول

است، اما سر غیر قطبی در آب حل نمی‌شود و به همین علت این مواد همیشه به سطح آب می‌آیند و چون سطح آب محدود

است، این مولکول‌ها یک لایة نازکِ به‌هم‌فشرده و منظم را تشکیل می‌دهند. به این خاصیت «خودساماندهی» می‌گویند. انواع

مواد شوینده از این نوع‌اند. در مواد شوینده سر غیرقطبی به چربی‌ها و روغن‌ها می‌چسبد و در نتیجه می‌توانیم آنها را با آب

بشوییم.

توانایی‌های منحصربه‌فرد فرایند DPN آن را به روشی پیش رو برای ترسیم نقوش با تفکیک بالا در ابعاد نانومتری تبدیل

می‌کند. در بین روش‌هایی که برای ابعاد زیر ۵۰ نانومتر قابل استفاده‌اند، مانند لیتوگرافی پرتو الکترونی، DPN تنها

ابزاری است که می‌تواند مولکول‌ها را به‌طور مستقیم در شرایط کنترل‌شده روی سطح بنشاند. در حقیقت، از آنجا که

ابزارهای DPN از میکروسکوپ‌های پیمایشی استفاده می‌کنند، می‌توانند عملیات ترسیم نقوش و تصویربرداری را همزمان

انجام دهند. مسئلة مهم در اینجا تولید نقوش پیچیده در ابعاد نانومتری نیست؛ مسئله مهم‌تر این است که بتوان این نقوش را-

که ممکن است ملزم به پیاده‌سازی در چند مرحلة مجزا باشند - به دقت نسبت به هم تثبیت کرد. محققان با استفاده از DPN توانسته‌اند نقوش مختلف را با استفاده از جوهرهای مختلف با خطای کمتر از ۵ نانومتر روی هم رسم کنند.

برای جمع‌بندی می‌توانیم بگوییم که نانولیتوگرافیِ قلمِ آغشته، مزایای زیر را دارد:

  1. قدرت تفکیک بالا: ترسیم نقوشی به کوچکی ۱۲ نانومتر، با دقت ۵ نانومتر و قابل تطبیق بر نقوش لایه‌های بعدی.
  1. بی‌نیاز از خلأ: برای انتقال جوهر به سطح با استفاده از سوزن AFM، کافی است شرایط محیطی محصورشده‌ای فراهم

کنیم. بر خلاف برخی روش‌های دیگر، در این روش ترسیم به خلأ نیازی نیست. این خاصیت به‌ویژه در مورد مولکول‌های زیستی که در خلأ آسیب می‌بینند بسیار مهم است.

  1. قدرت ترسیم مستقیم: مواد مورد نظر می‌توانند دقیقاً در جایی که مطلوب است گذارده شوند. به علاوه، نقوش ترسیم‌شده به این روش، به عنوان فیلتر فوتورزیست برای فرایندهای میکروالکترونیک استاندارد قابل استفاده اند.
  2. امکان به‌کارگیری مواد گوناگون: در نقش‌های ترسیمی با DPN می‌توان از انواع متنوع جوهر بر روی سطوح مختلف استفاده کرد.
  3. قابلیت هدایت خودکار: این روش را می‌توان به‌راحتی و با برنامه‌ریزی ماشین‌های موجود به‌طور خودکار پیاده کرد.

این برتری‌ها، DPN را روشی بسیار سودمند برای توسعة لیتوگرافی در ابعاد نانومتری ساخته‌است. در مقیاس آزمایشگاهی، این تکنیک می‌تواند همه کارایی‌های سایر روش‌های لیتوگرافی را داشته باشد. اما حوزه‌های گوناگون صنعت هم می‌توانند با استفاده از این روش به تولید صنعتی محصولات جدید بپردازند.

توسعه روش‌های لیتوگرافی[ویرایش]

برای دستیابی به رزولوشن بالاتر و ابعاد کوچک‌تر در مقیاس نانو، بایستی طول موج نور مورد استفاده کاهش یابد؛ بنابراین، روش‌های مبتنی بر استفاده از باریکه ذرات (الکترون، یون، اتم‌های خنثی و غیره) توسعه یافته‌اند. در این روش‌ها، از یون‌ها، الکترون‌ها یا اتم‌های خنثی برای جدا کردن بخشی از سطح استفاده می‌شود. برای تولید ساختارهایی با ابعاد کوچک‌تر، از روش‌های لیتوگرافی پرتو فرابنفش با انرژی بالا، لیتوگرافی اشعه ایکس، لیتوگرافی باریکه الکترونی، لیتوگرافی باریکه یونی متمرکزشده، لیتوگرافی میکروسکوپ پروب روبشی و روش‌های لیتوگرافی مبتنی بر مُهر (استامپ) مانند لیتوگرافی نرم استفاده می‌شود.

روند کار لیتوگرافی پرتو فرابنفش با انرژی بالا و اشعه ایکس همانند لیتوگرافی نوری است، اما در این روش‌ها به دلیل انرژی بالای پرتوهای مورداستفاده، نیاز به به‌کارگیری مواد مقاوم با قابلیت‌های ویژه و اپتیک خاص وجود دارد. با استفاده از این روش‌ها می‌توان الگوهایی با دقت زیر ۱۰۰ نانومتر ایجاد کرد.

در لیتوگرافی باریکه الکترونی از الکترون‌هایی با انرژی کنترل‌شده استفاده می‌شود. این باریکه الکترونی شتاب‌دارشده به صورت متمرکز بر روی ماده مقاوم حساس به الکترون تابیده می‌شود.

در روش لیتوگرافی با باریکه یونی متمرکزشده، از باریکه یونی متمرکزشده گوسین برای حکاکی استفاده می‌شود. مهم‌ترین مزیت این روش تطبیق پذیری بالای آن است، به‌طوری‌که می‌توان با استفاده از فرایندهایی مانند تابش یونی به یک ماده مقاوم، آسیاکاری یونی، اچ القاشده یونی یا کاشت یونی در مناطق مورد نظر، طرح‌های لیتوگرافی با دقتی کمتر از ۱۰۰ نانومتر ایجاد کرد.

لیتوگرافی مبتنی بر مُهر یک روش غیرتابشی بوده و اصولاً یک روش قالب‌گیری میکرونی است. در این روش، ابتدا الگویی از طرح مورد

نظر ایجاد می‌شود. در لیتوگرافی مُهر نانویی این الگو از جنس نیکل یا سیلیسیم است. برای ایجاد طرح بر روی زیرلایه، ابتدا

مقدار کمی از یک مایع بر روی سطح پخش شده و الگوی مورد نظر با اعمال فشار، مُهر شده و سپس طرح بر روی زیرلایه ثابت می‌شود.

لیتوگرافی نرم یکی از روش‌های لیتوگرافی مبتنی بر مُهر است که در آن از یک مُهر پلیمری نرم برای انتقال الگویی از یک محلول

حاوی مولکول‌های مورد نظر (جوهر) بر روی زیرلایه استفاده می‌شود. شمایی از این روش در شکل ۵ آورده شده‌است. در این روش به دلیل استفاده از مُهر پلیمری نرم، امکان ایجاد الگو بر روی زیرلایه‌های غیرمسطح و انعطاف‌پذیر وجود دارد. این امر یکی از ویژگی‌های منحصربه فرد روش لیتوگرافی نرم آن است.

به گزارش مرکز روابط عمومی و اطلاع‌رسانی معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری؛ نانو لیتوگرافی لیزری یکی از روش‌های فوتولیتوگرافی است، که در آن حداقل ابعاد اجزای ایجادشده بر روی نمونه، از مرتبه نانومتر است. در این روش از مواد با پاسخ نوری مناسب استفاده می‌شود، که ویژگی‌های این مواد (مانند خواص مکانیکی، شیمیایی، الکتریکی، فیزیکی و …) در پاسخ به تغییرات ایجادشده در شرایط محیطی تغییر می‌کند.

همچنین درروش نانو لیتوگرافی لیزری، از مواد پلیمری (به خاطر قیمت پایین و سهولت در ساخت و کاربرد) استفاده بسیاری می‌شود.

این مواد پلیمری به تغییرات دمایی، ph، ترکیب شیمیایی، نور، قدرت یونی، استرس مکانیکی و پتانسیل الکتریکی واکنش نشان می‌دهند.

فوتولیتو گرافی:

فوتو لیتوگرافی عبارت است از ساخت یک صفحه چاپی لیتوگراف با استفاده از وسایل فوتوگرافیک که توسط یک شیمیدان فرانسوی ابداع شد.

در این روش با استفاده از یک سامانه اپتیکی خاص، تصویر مورد نظر را روی یک ماده را در معرض حلال مناسب قرار می‌دهند. حلال با توجه به نوع ماده حساس به نور، یا بخش‌هایی را که نوردیده‌است از میان می‌برد یا آنکه بخش‌هایی را که نور به آن نرسیده‌است حذف می‌کرد. این روش یکی از مهم‌ترین روش‌ها در ساخت مدارات مجتمع الکترونیکی به‌شمار می‌رود.

منابع[ویرایش]

(Plus numerous individuals including: Todd Plaisted, Yuri Dymshits (Russian references

IUVSTA Bibliography (Professor B. R. Kendall) – book list

Used and new books for sale - Amazon.com; Alibris-UK; Abe

AVS – Jefferson Lab Collection – book list https://www.jlab.org/div_dept/cio/IR/AVS.html

Hannink, R. H. J. , Hill, A.J. “Nanostructure control of materials”, USA, CRC press, (2006)

Zhang, J.Z. , Wang, Z.L. , Liu, J. , Chen, S. , Liu, G.Y. “Self-Assembled Nanostructures”, USA, Kluwer Academic Publishers, (2004)

Edelstein, A.S. , Cammarata, R.C. “Nanomaterials:Synthesis, Properties and Applications”, USA, Institute of Physics Publishing, (1996).

(AVS – List of textbooks on vacuum Science and Technology (avs.org/Textbooks

isti.ir/Z7Zh www.edu.nano.ir

Library of Donald M. Mattox and Vivienne J. Harwood Mattox