پرونده:High-k.svg

Page contents not supported in other languages.
از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد

پروندهٔ اصلی(پروندهٔ اس‌وی‌جی، با ابعاد ۴۰۱ × ۲۳۵ پیکسل، اندازهٔ پرونده: ۸ کیلوبایت)

توضیح Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc.
تاریخ 2006-01-05, 2008-01-14
منبع File:High-k.png
پدیدآور en:User:Anoopm, traced by User:Stannered
اجازه‌نامه
(استفادهٔ مجدد از این پرونده)
Anoopm from en.wikipedia.org، صاحب حقوق قانونی این اثر، به این وسیله آن را تحت اجازه‌نامهٔ زیر منتشر می‌کند:
w:fa:کرییتیو کامنز
انتساب انتشار مشابه
این پرونده با اجازه‌نامهٔ کریتیو کامانز Attribution-Share Alike 3.0 سازگار نشده منتشر شده است. به تکذیب‌نامه‌ها رجوع شود.
انتساب: Anoopm from en.wikipedia.org
شما اجازه دارید:
  • برای به اشتراک گذاشتن – برای کپی، توزیع و انتقال اثر
  • تلفیق کردن – برای انطباق اثر
تحت شرایط زیر:
  • انتساب – شما باید اعتبار مربوطه را به دست آورید، پیوندی به مجوز ارائه دهید و نشان دهید که آیا تغییرات ایجاد شده‌اند یا خیر. شما ممکن است این کار را به هر روش منطقی انجام دهید، اما نه به هر شیوه‌ای که پیشنهاد می‌کند که مجوزدهنده از شما یا استفاده‌تان حمایت کند.
  • انتشار مشابه – اگر این اثر را تلفیق یا تبدیل می‌کنید، یا بر پایه‌ آن اثری دیگر خلق می‌کنید، می‌‌بایست مشارکت‌های خود را تحت مجوز یکسان یا مشابه با ا اصل آن توزیع کنید.
این برچسب مجوز به‌عنوان بخشی از روزآمدسازی مجوز GFDL، به این پرونده افزوده شد.
GNU head اجازهٔ کپی، پخش و/یا تغییر این سند تحت شرایط مجوز مستندات آزاد گنو، نسخهٔ ۱٫۲ یا هر نسخهٔ بعدتری که توسط بنیاد نرم‌افزار آزاد منتشر شده؛ بدون بخش‌های ناوردا (نامتغیر)، متون روی جلد، و متون پشت جلد، اعطا می‌شود. یک کپی از مجوز در بخشی تحت عنوان مجوز مستندات آزاد گنو ضمیمه شده است. به تکذیب‌نامه‌ها رجوع شود.
دیگر نسخه‌ها

آثار انشقاقی از این پرونده:  Common SiO2 vs high-k gate stack (DE).svg

File:High-k.png

عنوان

شرحی یک‌خطی از محتوای این فایل اضافه کنید

آیتم‌هایی که در این پرونده نمایش داده شده‌اند

توصیف‌ها

تاریخچهٔ پرونده

روی تاریخ/زمان‌ها کلیک کنید تا نسخهٔ مربوط به آن هنگام را ببینید.

تاریخ/زمانبندانگشتیابعادکاربرتوضیح
کنونی‏۱۴ ژانویهٔ ۲۰۰۸، ساعت ۱۸:۱۴تصویر بندانگشتی از نسخهٔ مورخ ‏۱۴ ژانویهٔ ۲۰۰۸، ساعت ۱۸:۱۴۴۰۱ در ۲۳۵ (۸ کیلوبایت)Stannered{{Information |Description=Comparison of high-k dielectric structure with conventional silicon dioxide gate dielectric. Schematic is my graphical representation of an idea in the presentation by G. E. Moore, Intel Inc. |Source=en:Image:High-k.png |Da

صفحهٔ زیر از این تصویر استفاده می‌کند:

کاربرد سراسری پرونده

ویکی‌های دیگر زیر از این پرونده استفاده می‌کنند: