مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو

مسطح‌سازی شیمیایی مکانیکی (به انگلیسی: CMP:Chemical-mechanical planarization) روشی برای تولید نیمه‌رسانای مسطح است.

سازوکار[ویرایش]

نحوه مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی

در این روش، از یک دوغاب شیمیایی ساینده و خورنده (معمولاً کلوئید) استفاده می‌شود. این دوغاب بعنوان جلاگر بر روی صفحه‌ای که بزرگتر از ویفر نیمه‌رسانا است، ریخته می‌شود و با چرخش صفحه جلادهنده، از قطعه لایه‌برداری می‌شود.

فرایند شامل واکنش شیمیایی دوغاب با نیمه‌رساناست و سایش نیز همزمان آن را سرعت می‌دهد. این فرایند همانند مسواک‌زدن است که در آن خمیردندان نقش ماده شیمیایی برای تمیزکاری دندان را دارد و خود مسواک این تمیزکاری را سرعت می‌بخشد.

موارد زیر را بایستی برای این فرایند در نظر داشت:

  • سرعت لایه‌برداری از ماده
  • یکدست بودن لایه‌برداری
  • مقدار مورد نیاز مسطح‌شدن
  • چه عیب‌ها و نقص‌هایی پس از لایه‌برداری بر روی قطعه می‌ماند
  • مقدار سازگاری ویفرها با یکدیگر

جستارهای وابسته[ویرایش]

منابع[ویرایش]

Awano,Y.:(2006),"Carbon Nanotube (CNT) Via Interconnect Technologies: Low temperature CVD growth and chemical mechanical planarization for vertically aligned CNTs". Proc. 2006 ICPT, 10