انباشت به روش تبخیر شیمیایی

از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد
پرش به: ناوبری، جستجو

انباشت به روش تبخیر شیمیایی یا رسوب شیمیایی فاز بخار (به انگلیسی: Chemical vapor deposition به اختصار CVD) یکی از روش‌های شیمیایی لایه نشانی است که در تولید لایه‌های بسیار خالص میکروبلورین در فناوری نیم رساناها به کار می‌رود.

غالباً انباشت روی زیر لایه‌ای از ماده مشابه (مانند سیلیسیم روی سیلیسم)انجام می‌شود. این انباشت ممکن است از طریق چند نوع واکنش شیمیایی انجام شود: گرماکافت که در آن از دمای زیاد برای تجزیه ماده استفاده می‌شود. نورکافت که در آن از نور فرابنفش یا فروسرخ برای تجزیه ترکیب‌های گازی استفاده می‌شود.

روش دیگر ممکن است از طریق واکنشی از نوع A+AB_2 \leftrightarrow\ 2AB انجام شود که در آن AB ترکیب گازی و A ماده مورد نظر برای انباشت است. ازخصوصیات این واکنش اینست که AB در دمای زیاد ترکیب پایداری است اما در دماهای کمتر مولفه A جدا می‌شود.

منابع[ویرایش]

سوالونی، هادی. مبانی علم سطح در نانوفناوری ج۱. تهران: دانشگاه تهران، ۱۳۸۳، ISBN ۹۶۴-۰۳-۴۸۹۲-۹